[發明專利]一種LPCVD多晶爐工藝爐膛在審
| 申請號： | 202110441521.0 | 申請日： | 2021-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN112981527A | 公開（公告）日： | 2021-06-18 |
| 發明（設計）人： | 宋立祿;張海林;劉國霞;滕玉朋;吳季浩 | 申請（專利權）人： | 青島賽瑞達電子科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/14 | 分類號： | C30B28/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 lpcvd 多晶 工藝 爐膛 | ||
1.一種LPCVD多晶爐工藝爐膛，包括機架(1)，所述機架(1)用于支撐加熱器(2)和管口法蘭(3)，所述管口法蘭(3)固裝有工藝管(4)，所述工藝管(4)內部可滑動放置的晶舟(5)，用于承載需進行工藝的晶片，其特征在于，所述工藝管(4)內壁頂部安裝有可拆卸的沉積板(6)。
2.根據權利要求1所述的一種LPCVD多晶爐工藝爐膛，其特征在于：所述工藝管(4)內壁頂部兩側安裝有滑道板(7)，用于支撐并導向所述沉積板(6)。
3.根據權利要求2所述的一種LPCVD多晶爐工藝爐膛，其特征在于：所述沉積板(6)的垂直投影區域覆蓋所述晶舟(5)的所在區域。
4.根據權利要求3所述的一種LPCVD多晶爐工藝爐膛，其特征在于：所述沉積板(6)的長度大于所述加熱器(2)的長度，所述加熱器(2)的長度大于所述晶舟(5)的長度。
5.根據權利要求1所述的一種LPCVD多晶爐工藝爐膛，其特征在于：所述沉積板(6)與所述工藝管(4)和所述晶舟(5)不接觸。
6.根據權利要求1-4任意一項所述的一種LPCVD多晶爐工藝爐膛，其特征在于：所述沉積板(6)為不銹鋼板。
7.根據根據權利要求1所述的一種LPCVD多晶爐工藝爐膛，其特征在于：所述加熱器(2)兩端與所述工藝管(4)之間密封環裝有散熱軟封堵(8)，用于阻擋加熱器(2)和工藝管(4)之間的間隙散熱。
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