[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110441433.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113555392A | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方琪皓;鄭銀愛;崔原碩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板,所述基板限定開口區(qū)域,并且包括顯示區(qū)域和在所述開口區(qū)域與所述顯示區(qū)域之間的中間區(qū)域;
在所述顯示區(qū)域和所述中間區(qū)域中的無(wú)機(jī)絕緣層;
在所述顯示區(qū)域中的像素電路;
在所述像素電路上的有機(jī)絕緣層;
在所述有機(jī)絕緣層上并且電連接到所述像素電路的像素電極、在所述像素電極上的中間層和在所述中間層上的對(duì)電極;
薄膜封裝層,所述薄膜封裝層在所述對(duì)電極上,并且包括第一無(wú)機(jī)封裝層、第二無(wú)機(jī)封裝層和在所述第一無(wú)機(jī)封裝層與所述第二無(wú)機(jī)封裝層之間的有機(jī)封裝層;以及
隔斷墻,所述隔斷墻在所述中間區(qū)域中的所述有機(jī)絕緣層上,并且包括至少兩個(gè)擋壩,
其中,所述無(wú)機(jī)絕緣層在所述隔斷墻與所述開口區(qū)域之間的區(qū)域中與所述薄膜封裝層相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述中間層和所述對(duì)電極中的每一個(gè)延伸到所述中間區(qū)域并且覆蓋所述隔斷墻,并且包括在所述中間區(qū)域中的切割表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述中間層和所述對(duì)電極在所述隔斷墻與所述開口區(qū)域之間的所述區(qū)域處終止。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,所述中間層的端部與所述對(duì)電極的端部相對(duì)應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:金屬殘留層,所述金屬殘留層在所述無(wú)機(jī)絕緣層上,并且與所述隔斷墻和所述開口區(qū)域之間的所述區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第一無(wú)機(jī)封裝層在所述隔斷墻與所述開口區(qū)域之間的所述區(qū)域中與所述金屬殘留層相接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,所述金屬殘留層暴露所述無(wú)機(jī)絕緣層的至少一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,所述金屬殘留層包括與所述像素電極相同的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述隔斷墻包括至少三個(gè)擋壩,在所述至少三個(gè)擋壩中的相鄰擋壩之間分別具有谷。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其中,所述至少三個(gè)擋壩中的每一個(gè)擋壩包括在所述有機(jī)絕緣層上的第一層和在所述第一層上的第二層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:
像素限定層,所述像素限定層限定暴露所述像素電極的一部分的開口;以及
在所述像素限定層上的間隔件,
其中,所述第一層包括與所述像素限定層相同的材料,并且
所述第二層包括與所述間隔件相同的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,所述谷暴露所述有機(jī)絕緣層的至少一部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,所述至少三個(gè)擋壩包括最靠近所述顯示區(qū)域的第一擋壩,并且
位于所述第一擋壩的與所述顯示區(qū)域鄰近的一側(cè)的所述有機(jī)絕緣層限定溝槽部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中,所述有機(jī)封裝層的一部分在所述溝槽部分中。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中,所述至少三個(gè)擋壩進(jìn)一步包括:第三擋壩,并且
所述中間層和所述對(duì)電極中的每一個(gè)被設(shè)置為覆蓋所述隔斷墻并且延伸到所述第三擋壩的朝向所述隔斷墻與所述開口區(qū)域之間的所述區(qū)域設(shè)置的側(cè)表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,進(jìn)一步限定:與所述開口區(qū)域相對(duì)應(yīng)并且穿透所述基板的開口。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





