[發明專利]存儲器有效

申請號：	202110441423.7	申請日：	2020-06-08
公開（公告）號：	CN113314541B	公開（公告）日：	2022-12-02
發明（設計）人：	李軍輝;沈保家;於成星;周靜蘭	申請（專利權）人：	長江存儲科技有限責任公司
主分類號：	H01L27/1157	分類號：	H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司：	北京派特恩知識產權代理有限公司 11270	代理人：	高天華;張穎玲
地址：	430074 湖北省武***	國省代碼：	湖北;42
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摘要：
搜索關鍵詞：	存儲器
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【權利要求書】：

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

第一柵疊層結構，位于襯底表面，包括依次交替層疊設置的第一絕緣層和第一柵極層；

第二柵疊層結構，位于所述第一柵疊層結構表面，包括依次交替層疊設置的第二絕緣層和第二柵極層；

溝道結構，貫穿所述第一柵疊層結構和所述第二柵疊層結構；

第一電荷阻擋結構，位于所述溝道結構和所述第一柵極層之間；

第二電荷阻擋結構，貫穿所述第一柵疊層結構和所述第二柵疊層結構；其中，位于所述第一柵疊層結構中的所述第二電荷阻擋結構，位于所述溝道結構和所述第一電荷阻擋結構之間，且位于所述溝道結構和所述第一絕緣層之間；位于所述第二柵疊層結構中的所述第二電荷阻擋結構，位于所述溝道結構和所述第二柵極層之間，且位于所述溝道結構和所述第二絕緣層之間。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，

部分所述第二電荷阻擋結構，位于所述第二柵疊層結構中且沿所述溝道結構的徑向方向朝所述第二柵極層凸出。

3.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，

沿平行于所述溝道結構徑向的方向，位于所述第二柵疊層結構中所述第二電荷阻擋結構的厚度，大于或等于所述第一電荷阻擋結構的厚度和位于所述第一柵疊層結構中所述第二電荷阻擋結構的厚度之和。

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