[發(fā)明專利]光學(xué)結(jié)構(gòu)及其制造方法及包含其的光學(xué)系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110441031.0 | 申請日: | 2021-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN113903755A | 公開(公告)日: | 2022-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝錦全;鄭岳青;何偲瑜 | 申請(專利權(quán))人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 包含 光學(xué)系統(tǒng) | ||
本公開提供一種光學(xué)結(jié)構(gòu)及其制造方法及包含其的光學(xué)系統(tǒng),該光學(xué)結(jié)構(gòu)包括:光學(xué)元件以及多個突出物。光學(xué)元件具有平坦化上表面。突出物設(shè)置于平坦化上表面上,其中每一突出物獨立地具有次波長尺寸。本公開提供的光學(xué)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點在于:通過設(shè)置具有多個突出物的超表面可避免串音干擾,提高空間解析度、整體靈敏度、噪聲比、及避免混色,達到更佳的影像品質(zhì)。此外,可省去發(fā)光二極管之間的隔離壁,從而減小裝置的體積;由于光學(xué)多層膜未以大角度照射,也可解決藍(lán)移問題;指紋感測器亦可產(chǎn)生更高對比度的高解析度影像。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種光學(xué)結(jié)構(gòu),特別是涉及一種具有超表面(metasurface)的光學(xué)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
各種光學(xué)裝置,例如互補式金屬氧化物半導(dǎo)體((Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)影像感測器與光學(xué)指紋裝置業(yè)已開發(fā)。然而,當(dāng)光源包括雜散光時,可能會發(fā)生一些問題。舉例來說,互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像感測器可能會受到串音干擾,而降低空間解析度、整體靈敏度、并導(dǎo)致混色,從而造成影像錯誤。若在光學(xué)裝置中使用光學(xué)多層膜,由于雜散光以大角度照射在光學(xué)多層膜,使得光學(xué)多層膜可能產(chǎn)生藍(lán)移,導(dǎo)致雜散光的波長朝藍(lán)光偏移。此外,光學(xué)指紋裝置可能因使用雜散光產(chǎn)生較低對比度的低解析度影像。
盡管現(xiàn)有光學(xué)裝置足以滿足其預(yù)期目的,但無法在各方面都盡如人意。結(jié)果來說,需要能解決上述問題的新穎光學(xué)結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供一種可準(zhǔn)直雜散光的光學(xué)結(jié)構(gòu)。將超表面(metasurface)設(shè)置于平坦化表面上。超表面包括具有多個突出物的圖案。當(dāng)雜散光通過超表面時,超表面可準(zhǔn)直雜散光。因此,雜散光以0度入射角照射光學(xué)裝置。結(jié)果來看,可避免CMOS影像感測器中的串音干擾,從而提高空間解析度、增強整體靈敏度并避免混色,而獲得更佳的影像品質(zhì)。由于未以大角度照射光學(xué)多層膜,也解決了藍(lán)移問題。光學(xué)指紋裝置亦可以更高對比度產(chǎn)生更高解析度的影像。
根據(jù)本公開的部分實施例,提供一種光學(xué)結(jié)構(gòu)。該光學(xué)結(jié)構(gòu)包括:一光學(xué)元件以及多個突出物。該光學(xué)元件具有一平坦化上表面。這些突出物設(shè)置于該平坦化上表面上,其中每一突出物獨立地具有次波長尺寸。
根據(jù)本公開的部分實施例,提供一種光學(xué)結(jié)構(gòu)的制造方法。該制造方法包括:提供一光學(xué)元件,具有一平坦化上表面;以及形成多個突出物于該平坦化上表面上,其中每一所述突出物獨立地具有次波長尺寸。
根據(jù)本公開的部分實施例,提供一種光學(xué)系統(tǒng)。該光學(xué)系統(tǒng)包括:一感測器、一光學(xué)元件、以及多個突出物。該光學(xué)元件設(shè)置于該感測器上。該光學(xué)元件具有一平坦化上表面。所述突出物設(shè)置于該平坦化上表面上,其中每一所述突出物獨立地具有次波長尺寸。
在以下實施例中參考所附圖式給予實施方式。
附圖說明
通過閱讀后續(xù)的實施方式和范例并參考所附圖式,可更完全地理解本發(fā)明,其中:
圖1是根據(jù)本公開的部分實施例,揭示一種光學(xué)結(jié)構(gòu)制造方法其中一步驟的剖面示意圖;
圖2是根據(jù)本公開的部分實施例,揭示一種光學(xué)結(jié)構(gòu)制造方法其中一步驟的剖面示意圖;
圖3A是根據(jù)本公開的部分實施例,揭示一種光學(xué)結(jié)構(gòu)制造方法其中一步驟的剖面示意圖;
圖3B是根據(jù)本公開的部分實施例,揭示一種光學(xué)結(jié)構(gòu)制造方法其中一步驟的剖面示意圖;
圖4A是根據(jù)本公開的部分實施例,揭示一種光學(xué)結(jié)構(gòu)制造方法其中一步驟的剖面示意圖;
圖4B是根據(jù)本公開的部分實施例,揭示一種光學(xué)結(jié)構(gòu)制造方法其中一步驟的剖面示意圖;
圖5A是根據(jù)本公開的部分實施例,揭示一種光學(xué)結(jié)構(gòu)制造方法其中一步驟的剖面示意圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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