[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202110439987.7 | 申請日: | 2021-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN113675232A | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發明(設計)人: | 趙康文;文盛載;李安洙;李卓泳 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底;
第一數據線、第二數據線和第三數據線,在所述基底上在第一方向上延伸,并且被設置為沿著與所述第一方向交叉的第二方向相鄰;
半導體層,設置在所述第一數據線、所述第二數據線和所述第三數據線上;
第一絕緣層,設置在所述半導體層上;
第一下存儲電極、第二下存儲電極和第三下存儲電極,設置在所述第一絕緣層上,并且被布置為沿著所述第一方向相鄰;
第二絕緣層,設置在所述第一下存儲電極、所述第二下存儲電極和所述第三下存儲電極上;
第一掃描線,在所述第二絕緣層上在所述第二方向上延伸;
第一像素,連接到所述第一掃描線和所述第一數據線;
第二像素,連接到所述第一掃描線和所述第二數據線;以及
第三像素,連接到所述第一掃描線和所述第三數據線。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
第一輔助掃描圖案,與所述第一掃描線疊置,并且連接到所述第一掃描線,
其中,所述第一輔助掃描圖案與所述第一下存儲電極設置在同一層上,并且不與所述第一數據線、所述第二數據線和所述第三數據疊置。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
第一上存儲電極,與所述第一下存儲電極疊置;
第二上存儲電極,與所述第二下存儲電極疊置;以及
第三上存儲電極,與所述第三下存儲電極疊置,
其中,所述第一上存儲電極、所述第二上存儲電極和所述第三上存儲電極沿著所述第一方向順序地設置,并且與所述第一掃描線設置在同一層上。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
第一光阻擋層,與所述第一下存儲電極疊置;
第二光阻擋層,與所述第二下存儲電極疊置;以及
第三光阻擋層,與所述第三下存儲電極疊置,
其中,所述第一光阻擋層、所述第二光阻擋層和所述第三光阻擋層沿著所述第一方向順序地設置,并且與所述第一數據線、所述第二數據線和所述第三數據線設置在同一層上。
5.根據權利要求3所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
驅動電壓線和初始化電壓線,在所述第一方向上延伸,
其中,所述第一像素包括第一驅動晶體管、第一開關晶體管和第一初始化晶體管,所述第一驅動晶體管連接在所述驅動電壓線與所述第一上存儲電極之間,所述第一開關晶體管連接在所述第一下存儲電極與所述第一數據線之間,所述第一初始化晶體管連接在所述初始化電壓線與所述第一上存儲電極之間,
其中,所述第二像素包括第二驅動晶體管、第二開關晶體管和第二初始化晶體管,所述第二驅動晶體管連接在所述驅動電壓線與所述第二上存儲電極之間,所述第二開關晶體管連接在所述第二下存儲電極與所述第二數據線之間,所述第二初始化晶體管連接在所述初始化電壓線與所述第二上存儲電極之間,并且
其中,所述第三像素包括第三驅動晶體管、第三開關晶體管和第三初始化晶體管,所述第三驅動晶體管連接在所述驅動電壓線與所述第三上存儲電極之間,所述第三開關晶體管連接在所述第三下存儲電極與所述第三數據線之間,所述第三初始化晶體管連接在所述初始化電壓線與所述第三上存儲電極之間。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,
所述第一驅動晶體管、所述第二驅動晶體管和所述第三驅動晶體管沿著所述第一方向順序地設置,
所述第一開關晶體管、所述第二開關晶體管和所述第三開關晶體管沿著所述第一方向順序地設置,并且連接到所述第一掃描線,并且
所述第一初始化晶體管、所述第二初始化晶體管和所述第三初始化晶體管沿著所述第一方向順序地設置。
7.根據權利要求5所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
第二掃描線,在所述第二方向上延伸,
其中,所述第二掃描線與所述第一掃描線設置在同一層上,并且連接到所述第一初始化晶體管、所述第二初始化晶體管和所述第三初始化晶體管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





