[發明專利]一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備及鍍膜工藝

在審

• 申請號: 202110439500.5
• 申請日: 2021-04-23
• 公開（公告）號: CN113136553A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 張云生;鄭楚健
• 申請（專利權）人: 深圳市樂蘇科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 深圳科灣知識產權代理事務所(普通合伙) 44585
• 代理人: 楊艷霞

1.一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，包括底座(1)和玻璃隔板(101)，其特征在于，所述玻璃隔板(101)連接于底座(1)頂壁，所述底座(1)頂壁設置有真空室體(2)、抽氣組件(104)、控制柜(102)和循環冷卻水系統，所述抽氣組件(104)和循環冷卻水系統均與控制柜(102)相配合，所述抽氣組件(104)和循環冷卻水系統輸出端均與真空室體(2)相連通，所述真空室體(2)側壁連接有第一真空室門(205)，所述真空室體(2)遠離第一真空室門(205)的一側連接有第二真空室門(206)，所述底座(1)頂壁連接有第一移動軌(203)和第二移動軌(204)，所述第一真空室門(205)和第二真空室門(206)底部均設置有電動移動輪(208)，兩組所述電動移動輪(208)分別與第一移動軌(203)和第二移動軌(204)相配合，所述真空室體(2)頂壁連接有濺射源。

2.根據權利要求1所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，其特征在于，所述第一真空室門(205)和第二真空室門(206)內部均轉動連接有夾具轉架(207)，所述夾具轉架(207)為公自轉夾具。

3.根據權利要求2所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，其特征在于，所述濺射源包括雙靶靶位(201)和單靶靶位(202)，所述雙靶靶位(201)和單靶靶位(202)均配有自動擋板。

4.根據權利要求3所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，其特征在于，所述雙靶靶位(201)設置有6組，所述單靶靶位(202)設置有2組，所述雙靶靶位(201)用于中頻濺射氧化物、氮化物，所述單靶靶位(202)用于直流濺射金屬。

5.根據權利要求4所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，其特征在于，所述濺射源配合設置有離子源，所述離子源為陽極層離子源，所述離子源配合設置有電源，所述離子源配有自動擋板。

6.根據權利要求4所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，其特征在于，所述底座(1)頂部連接有安置架(103)，所述抽氣組件(104)連接于安置架(103)頂部，所述抽氣組件(104)包括分子泵(105)、羅茨泵、旋片泵、維持泵和深冷泵。

7.根據權利要求1所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，其特征在于，所述抽氣組件(104)輸出端通過管道和連接組件與真空室體(2)相連通。

8.根據權利要求1所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，其特征在于，所述真空室體(2)內部設置有在線膜厚檢測裝置，所述在線膜厚檢測裝置包括探頭、控制器以及轉接裝置，且所述在線膜厚檢測裝置與夾具轉架(207)相配合。

9.根據權利要求1所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備，其特征在于，所述真空室體(2)、第一真空室門(205)和第二真空室門(206)內壁均設置有防污板。

10.如權利要求1-9任一項所述的一種用于手機攝像頭鏡片的鍍膜設備的鍍膜工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1：首先在使用前進行開機準備，確認供電和冷卻水供應正常，包括水泵是否開啟，進水壓力在0.3～0.4MPa之間，出水壓力小于0.1MPa、確認水溫，各路循環水球閥均需處于開啟的狀態，檢查壓縮空氣供應正常，包括壓縮機開啟，過濾器、壓力確認是否在0.5MPa～0.7MP區間，檢查工作氣體供應是否正常，確認出口壓力小于0.1MPa，當氣瓶壓力小于3MPa時需要更換氣瓶，最后檢測環境溫濕度及潔凈度，以確保開啟后設備能正常運行；

S2：檢查完畢后手動開機，包括開啟控制柜(102)主電源，開電腦，啟動PLC調試程序，開啟維持泵，并觀察分子泵(105)出口處的壓強，如幾分鐘內可達到低于20Pa的壓強即屬正常；開深冷泵，深冷泵需預冷10min；真空室體(2)充大氣，觀察分子泵(105)出口壓強是否有波動和變化，如果沒有，說明高閥蓋蓋得嚴密，無氣體流入；證實高閥正常后，可開啟分子泵(105)，分子泵(105)預熱時間需要20分鐘左右，分子泵(105)頻率達到300Hz表示正常啟動，電流約為1.4-1.5A，開分子泵(105)前需開啟循環水；

S3：清潔真空室體(2)和第一真空室門(205)內壁；使用酒精擦拭，然后吸塵器吸塵，主要位置深冷銅管，高閥口、靶附近襯板，門密封圈，以及其他確認真空室體(2)各部件、系統正常，然后在第一真空室門(205)的夾具轉架(207)加掛工件，可用高溫膠貼；

S4：開啟電動移動輪(208)，電動移動輪(208)在第一移動軌(203)內移動，隨即將第一真空室門(205)關閉，確認氣動拉手動作，門已關嚴密；開啟抽氣組件(104)；真空室壓強低于5000Pa時，開啟羅茨泵，如果需要開深冷，此時開啟深冷泵制冷，同時開啟夾具轉架(207)；真空室壓強低于5Pa時，關閉粗抽閥，開啟前置閥，然后開啟高閥先確認分子泵(105)電源穩定300HZ，隨后打開打開靶擋板，開始第一批鍍膜；

S5：當第一真空室門(205)內的玻璃還是被鍍膜時，同樣的方法清潔第二真空室門(206)內壁，然后在第二真空室門(206)的夾具轉架(207)加掛工件，并用高溫膠固定，當第一真空室門(205)內的工件加工完畢后，打開氣動拉手，啟動第一真空室門(205)底部的電動移動輪(208)，沿第一移動軌203退回，啟動第二真空室門(206)底部的電動移動輪(208)，沿第二移動軌204移動，隨后與真空室體進行閉合，關閉啟動把手，啟動各組裝置，開始第二批鍍膜。