[發明專利]一種電潤濕顯示器件制備方法

在審

• 申請號: 202110438647.2
• 申請日: 2021-04-22
• 公開（公告）號: CN113064270A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 李輝;孫燕楠;李瑞環;譚友豪;蒲國鑫
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: G02B26/00
• 分類號: G02B26/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 林麗明

1.一種電潤濕顯示器件制備方法，其特征在于，所述方法制備的電潤濕顯示器件包括：下基板、第一電極、疏水絕緣層、像素墻、密封膠圍欄、第二電極、上基板、非極性電解質液體、極性液體及微柱結構，所述制備方法至少包括以下步驟：

S1.選定下基板，在下基板的上表面上制備第一電極，收集用于制備疏水絕緣層的溶液，將溶液均勻地涂布在帶有第一電極的下基板的上表面，并進行熱固化處理，形成疏水絕緣層；

S2.利用反應離子刻蝕機對疏水絕緣層表面進行疏水功率改性，降低疏水絕緣層表面接觸角，疏水絕緣層表面變為親水性；

S3.利用光刻技術制備像素墻，將非極性液體均勻填充在由像素墻圍成的像素格內，將極性液體覆蓋在像素墻和非極性溶液的上方；

S4.利用反應離子刻蝕機對疏水絕緣層表面進行親水功率改性，提高疏水絕緣層表面接觸角，疏水絕緣層表面恢復疏水性，形成微結構，完成背板制作；

S5.選定上基板，在上基板的下表面上制備第二電極，在第二電極表面利用掩膜版制備若干個微柱結構，并在上基板的下表面添加密封膠圍欄，最后將上基板沿密封膠圍欄的方向與下基板對位壓合，將微柱結構固定在像素格內，微柱結構另一端連接第一電極的表面，從而將非極性液體和極性液體封裝。

2.根據權利要求1所述的電潤濕顯示器件制備方法，其特征在于，步驟S2所述利用反應離子刻蝕機對疏水絕緣層表面進行疏水功率改性時的功率范圍為5W～20W。

3.根據權利要求2所述的電潤濕顯示器件制備方法，其特征在于，設疏水絕緣層表面接觸角表示為θ，疏水絕緣層表面進行疏水功率改性后，疏水絕緣層表面接觸角降低，疏水絕緣層表面接觸角滿足范圍：

θ≤95°。

4.根據權利要求1所述的電潤濕顯示器件制備方法，其特征在于，步驟S3所述的利用光刻技術制備像素墻的過程包括：

S31.采集光刻膠材料，將光刻膠材料均勻地涂布在疏水絕緣層的表面；

S32.對已經涂布在疏水絕緣層表面的光刻膠材料進行前烘操作，去除光刻膠材料中的部分溶劑；

S33.進行曝光操作：設定圖形，將圖形轉移到光刻膠材料圖層，形成像素墻圖案；

S34.進行中烘操作，進一步固化；

S35.進行顯影操作：溶解并去除不需要的光刻膠材料，轉移像素墻圖案；

S36.進行后烘操作：蒸發溶劑固化光刻膠材料。

5.根據權利要求4所述的電潤濕顯示器件制備方法，其特征在于，步驟S3所述的利用光刻技術制備像素墻的過程在黃光環境下完成。

6.根據權利要求3所述的電潤濕顯示器件制備方法，其特征在于，步驟S4所述利用反應離子刻蝕機對疏水絕緣層表面進行親水功率改性的功率大于100W。

7.根據權利要求6所述的電潤濕顯示器件制備方法，其特征在于，對疏水絕緣層表面進行親水功率改性后，疏水絕緣層表面接觸角提高，疏水絕緣層表面接觸角滿足范圍為：

θ≥115°。

8.根據權利要求7所述的電潤濕顯示器件制備方法，其特征在于，步驟S5所述在第二電極表面利用掩膜版制備若干個微柱結構的過程為：

S51.采集光刻膠材料，將光刻膠材料均勻地涂布在第二電極的表面；

S52.前烘：對已經涂布在第二電極表面的光刻膠材料進行前烘操作，去除光刻膠材料中的部分溶劑；

S53.設定圖形，將圖形轉移到光刻膠材料圖層，基于掩膜版形成微柱結構圖案；

S54.進行中烘操作，進一步固化；

S55.進行顯影操作：溶解并去除不需要的光刻膠材料，轉移微柱結構圖案；

S56.進行后烘操作：蒸發溶劑以固化光刻膠材料，使光刻膠和微柱結構襯底表面粘結；所述微柱結構通過加壓被處理為親水狀態或疏水狀態；

S57.微柱結構表面微柱疏水絕緣層涂層制作：在微柱結構表面浸沾微柱疏水絕緣層；所述表面浸沾微柱疏水絕緣層的微柱結構通過電壓改變其表面潤濕狀態。