[發(fā)明專利]錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110437059.7 | 申請(qǐng)日： | 2021-04-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113517628A | 公開（公告）日： | 2021-10-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張娜玲;袁慶賀;井紅旗;仲莉;劉素平;馬驍宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/024 | 分類號(hào)： | H01S5/024;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 吳夢(mèng)圓 |
| 地址： | 100083 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 錐形 半導(dǎo)體激光器 分離 電極 | ||
1.一種錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，包括：
散熱基底，設(shè)置有凹槽，能夠?yàn)樵O(shè)置于所述凹槽底部的半導(dǎo)體激光器芯片進(jìn)行散熱；
絕緣體組，包括兩個(gè)絕緣體，對(duì)應(yīng)設(shè)置于所述半導(dǎo)體激光器芯片兩側(cè)的凹槽底部；以及
分離電極，用于為所述半導(dǎo)體激光器芯片供電，包括位于每個(gè)所述絕緣體表面且通過(guò)絕緣凹槽相隔設(shè)置的MO電極單元和PA電極單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，其中，所述分離電極包括：第一長(zhǎng)方體電極和第二長(zhǎng)方體電極；
所述第一長(zhǎng)方體電極與所述第二長(zhǎng)方體電極各自的一側(cè)與所述絕緣體連接，各自的另一側(cè)的表面進(jìn)行了鍍金處理，相對(duì)應(yīng)形成第一導(dǎo)電側(cè)與第二導(dǎo)電側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，其中，
所述第一導(dǎo)電側(cè)設(shè)置有將其分為兩部分的第一絕緣凹槽，并形成靠近所述半導(dǎo)體激光器芯片的第一內(nèi)側(cè)電極與遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體激光器芯片的第一外側(cè)電極；
所述第二導(dǎo)電側(cè)設(shè)置有將其分為兩部分的第二絕緣凹槽，并形成靠近所述半導(dǎo)體激光器芯片的第二內(nèi)側(cè)電極與遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體激光器芯片的第二外側(cè)電極；
所述第一絕緣凹槽與所述第二絕緣凹槽相對(duì)于所述半導(dǎo)體激光器芯片為對(duì)稱結(jié)構(gòu)；
所述第一內(nèi)側(cè)電極與所述第二內(nèi)側(cè)電極形成第一電極組，所述第一電極組用于對(duì)錐形半導(dǎo)體激光器錐形區(qū)施加電流；
所述第一外側(cè)電極與所述第二外側(cè)電極形成第二電極組，所述第二電極組用于對(duì)錐形半導(dǎo)體激光器脊形波導(dǎo)區(qū)施加電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，其中，所述第一內(nèi)側(cè)電極、所述第一外側(cè)電極、所述第二內(nèi)側(cè)電極及所述第二外側(cè)電極均在其導(dǎo)電側(cè)設(shè)置有電極柱；
各所述電極柱的一端與相對(duì)應(yīng)的電極導(dǎo)電側(cè)連接，各所述電極柱的另一端進(jìn)行中空處理，形成各自的電極柱中空端，用于連接外部電源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，還包括：
上蓋板，設(shè)置有多個(gè)固定孔，所述固定孔與所述散熱基底設(shè)有的螺紋孔相對(duì)應(yīng)，能夠通過(guò)螺栓固定所述上蓋板；
所述上蓋板還設(shè)有能夠?qū)⒏魉鲭姌O柱中空端穿入的電極柱限位孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，還包括：
絕緣子：能夠套接于所述電極柱中空端與所述電極柱限位孔之間，用于防止電極柱與上蓋板電連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，其中，每個(gè)所述MO電極單元包括MO電極和設(shè)置于所述MO電極上的電極柱；每個(gè)所述PA電極單元包括PA電極和設(shè)置于所述PA電極上的電極柱。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，其中，所述MO電極和所述PA電極能夠分別對(duì)所述錐形半導(dǎo)體激光器芯片進(jìn)行供電。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，其中，所述MO電極能夠?qū)﹀F形半導(dǎo)體激光器芯片的脊形波導(dǎo)區(qū)施加電流；所述PA電極能夠?qū)﹀F形半導(dǎo)體激光器芯片的錐型區(qū)施加電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錐形半導(dǎo)體激光器分離電極熱沉，其中，所述散熱基底，為散熱性能良好的材料，且為銅材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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