[發明專利]一種雙色紅外探測器制備方法及雙色紅外探測器

有效

• 申請號: 202110436287.2
• 申請日: 2021-04-22
• 公開（公告）號: CN113140584B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京智創芯源科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王云曉

1.一種雙色紅外探測器制備方法，其特征在于，包括：

在雙色紅外探測芯片中每一像元的一電極設置連接柱；所述雙色紅外探測芯片包括多個像元，每一像元包括兩個所述電極，所述電極包括連接第一波段材料層的第一電極，以及連接第二波段材料層的第二電極；

在讀出電路中設置對應每一所述像元中另一電極的連接柱；

將所述雙色紅外探測芯片與所述讀出電路相互對位并相互鍵合，使所述第一電極與所述第二電極均通過所述連接柱與所述讀出電路電連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在雙色紅外探測芯片中每一像元的一電極設置連接柱包括：

在雙色紅外探測芯片中每一像元的第一電極設置連接柱；

所述在讀出電路中設置對應每一所述像元中另一電極的連接柱包括：

在所述讀出電路中設置對應每一所述像元的第二電極的連接柱。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述像元包括位于上層的第一臺階面以及位于下層的第二臺階面，所述第一臺階面與所述第二臺階面之間的高度差不小于所述第一波段材料層的厚度；所述第一臺階面設置有所述第一電極，所述第二臺階面設置有所述第二電極；

對應所述第二電極的連接柱高度與對應所述第一電極的連接柱高度之間的高度差等于所述第一臺階面與所述第二臺階面之間的高度差。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述讀出電路中設置對應每一所述像元的第二電極的連接柱包括：

通過厚膠光刻工藝在所述讀出電路中設置對應每一第二電極的連接柱。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述在雙色紅外探測芯片中每一像元的第一電極或第二電極設置連接柱之前，還包括：

在雙色紅外探測材料基板刻蝕出具有臺階結構的像元，以通過位于上層的第一臺階面暴露第一波段材料層，并通過位于下層的第二臺階面暴露第二波段材料層；所述雙色紅外探測材料基板包括襯底，位于所述襯底表面的所述第二波段材料層，以及位于所述第二波段材料層背向所述襯底一側表面的所述第一波段材料層；

在所述第一臺階面設置暴露所述第一波段材料層的第一接觸孔，并在所述第二臺階面設置暴露所述第二波段材料層的第二接觸孔；

在所述第一接觸孔內填充導電材料形成所述第一電極；

在所述第二接觸孔內填充導電材料形成所述第二電極。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二電極與所述第一電極不同時制備。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在雙色紅外探測材料基板刻蝕出具有臺階結構的像元包括：

在雙色紅外探測材料基板的第一波段材料層表面涂覆光刻膠，并曝光形成對應各個像元臺階結構的像元圖形；

通過曝光后的所述光刻膠刻蝕所述雙色紅外探測材料基板，形成具有臺階結構的像元；

在所述像元表面生長介質層；

所述在所述第一臺階面設置暴露所述第一波段材料層的第一接觸孔，并在所述第二臺階面設置暴露所述第二波段材料層的第二接觸孔包括：

刻蝕位于所述第一臺階面的介質層形成暴露所述第一波段材料層的第一接觸孔，并刻蝕位于所述第二臺階面的介質層形成暴露所述第二波段材料層的第二接觸孔。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述雙色紅外探測材料基板還包括位于所述第一波段材料層與所述第二波段材料層之間的隔離層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述連接柱為銦柱。

10.一種雙色紅外探測器，其特征在于，包括如權利要求1至9任一項權利要求所述方法所制備而成的雙色紅外探測器。