[發(fā)明專利]一種芯片厚度減薄的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110436052.3 | 申請日: | 2021-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN113299538A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賀曉輝;李邁克;石磊;陳耿 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/687 |
| 代理公司: | 重慶莫斯專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50279 | 代理人: | 劉強(qiáng) |
| 地址: | 402284 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 厚度 方法 | ||
1.一種芯片厚度減薄的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、提供一載板及一待處理芯片,所述載板上開設(shè)有尺寸大于所述待處理芯片的凹槽;
S2、將所述待處理芯片放入凹槽的中心位置,并使待處理芯片的正面與凹槽底面貼合;
S3、將石蠟熔化形成溶體,然后注入待處理芯片四周的凹槽中,冷卻凝固形成石蠟層;
S4、采用背面軌道式腐蝕機(jī)利用腐蝕溶液對所述待處理芯片的背面進(jìn)行腐蝕,得到減薄芯片;
S5、從凹槽中取出減薄芯片,浸入非極性溶劑將殘留在減薄芯片上的石蠟溶解,再用去離子水沖洗,去除減薄芯片上殘留的非極性溶劑,然后使用微型熱風(fēng)機(jī)將減薄芯片表面的水跡吹干即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片厚度減薄的方法,其特征在于,所述載板上凹槽的深度為60~150μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種芯片厚度減薄的方法,其特征在于,所述載板由底板和多塊回型板構(gòu)成,所述底板的四個角落上設(shè)置有定位柱,所述回型板的四個角落上設(shè)有與定位柱相匹配的通孔,多塊所述回型板通過通孔與定位柱的配合疊層在底板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種芯片厚度減薄的方法,其特征在于,所述回型板的厚度為10~50μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種芯片厚度減薄的方法,其特征在于,S3中,注入待處理芯片四周凹槽的石蠟層的厚度略超過凹槽的深度,石蠟層的寬度均向凹槽四周擴(kuò)展并超出凹槽的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種芯片厚度減薄的方法,其特征在于,S4中,所述腐蝕溶液包括以下體積份數(shù)的原料:HNO320~30份、H2SO415~25份、HF10~20份、H3PO415~25份。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種芯片厚度減薄的方法,其特征在于,在將所述減薄芯片從凹槽中取出前,先用去離子水沖洗,以徹底除去減薄過程中殘留于芯片表面的腐蝕溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7任意一項所述的一種芯片厚度減薄的方法,其特征在于,S5中,所述非極性溶劑采用汽油、氯仿或者四氯甲烷中的一種或幾種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





