[發明專利]半導體發光元件及半導體發光元件的制造方法

在審

• 申請號: 202110435175.5
• 申請日: 2021-04-22
• 公開（公告）號: CN113675309A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 丹羽紀隆;稻津哲彥
• 申請（專利權）人: 日機裝株式會社
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立;丁惠敏

1.一種半導體發光元件，其特征在于，包括：

由n型AlGaN系半導體材料構成的n型半導體層，

設于所述n型半導體層的第1上表面，由AlGaN系半導體材料構成的活性層，

設于所述活性層上的p型半導體層，

與所述p型半導體層的上表面接觸設置的p側接觸電極，

設于所述p側接觸電極上的p側電流擴散層，

設于所述p側電流擴散層上的p側焊盤電極，

與所述n型半導體層的第2上表面接觸設置的n側接觸電極，

包含設于所述n側接觸電極上的第1電流擴散層和設于所述第1電流擴散層上的第2電流擴散層，并包含TiN層的n側電流擴散層，以及

設于所述n側電流擴散層上的n側焊盤電極；

所述p側接觸電極的上表面的高度位置與所述第1電流擴散層的上表面的高度位置的差為100nm以下，

所述p側電流擴散層的上表面的高度位置與所述第2電流擴散層的上表面的高度位置的差為100nm以下。

2.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述p側電流擴散層具有依次層疊TiN層、金屬層及TiN層的層疊構造。

3.如權利要求1或2所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述第1電流擴散層及所述第2電流擴散層分別具有依次層疊TiN層、金屬層及TiN層的層疊構造。

4.如權利要求2或3所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述層疊構造的所述金屬層的厚度大于所述層疊構造的所述TiN層的厚度。

5.如權利要求1至4的任意一項所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述第1電流擴散層遍及比所述n側接觸電極的形成區域大的區域而設置。

6.如權利要求1至5的任意一項所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述第2電流擴散層遍及比所述n側接觸電極的形成區域大的區域而設置。

7.如權利要求1至6的任意一項所述的半導體發光元件，其特征在于，

從所述n型半導體層的所述第2上表面到所述p型半導體層的所述上表面的高度為400nm以上且1500nm以下。

8.一種半導體發光元件的制造方法，其特征在于，包括：

在由n型AlGaN系半導體材料構成的n型半導體層上形成由AlGaN系半導體材料構成的活性層的工序，

在所述活性層上形成p型半導體層的工序，

部分地除去所述p型半導體層及所述活性層，以使所述n型半導體層的局部區域的上表面露出的工序，

形成與所述p型半導體層的上表面接觸的p側接觸電極的工序，

在所述p側接觸電極上形成p側電流擴散層的工序，

形成與所述n型半導體層的所述露出的上表面接觸的n側接觸電極的工序，

在所述n側接觸電極上形成第1電流擴散層的工序，

在所述第1電流擴散層上形成第2電流擴散層的工序，

在所述p側電流擴散層上形成p側焊盤電極的工序，以及

在所述第2電流擴散層上形成n側焊盤電極的工序；

所述p側接觸電極的上表面的高度位置與所述第1電流擴散層的上表面的高度位置的差為100nm以下，

所述p側電流擴散層的上表面的高度位置與所述第2電流擴散層的上表面的高度位置的差為100nm以下。

9.如權利要求8所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

部分地除去所述p型半導體層及所述活性層的工序的蝕刻深度為400nm以上且1500nm以下。

10.如權利要求8或9所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

同時形成所述p側電流擴散層及所述第2電流擴散層。