[發明專利]OLED顯示面板和OLED顯示裝置有效
| 申請號: | 202110430590.1 | 申請日: | 2021-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN113193018B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 趙媛媛 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司;武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 劉泳麟 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請提供一種OLED顯示面板和OLED顯示裝置;該OLED顯示面板包括第一顯示區,以及對應電子元件設置位置的第二顯示區,OLED顯示面板包括襯底、驅動電路層、發光層、光學耦合層和封裝層,驅動電路層設置于襯底一側,發光層設置于驅動電路層遠離襯底的一側,光學耦合層設置于發光層遠離驅動電路層的一側,封裝層設置于光學耦合層遠離發光層的一側,在第二顯示區,發光層遠離驅動電路層的一側設有透光增強層。本申請通過在發光層上設置透光增強層,使透光增強層改變OLED顯示面板的共振微腔,提高OLED顯示面板的光線透過率,從而提高屏下攝像頭的攝像效果。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其是涉及一種OLED顯示面板和OLED顯示裝置。
背景技術
OLED((Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示器件由于自發光、響應速度快、視角廣、可實現柔性顯示等優點被廣泛應用。為了提高顯示器件的屏占比,現有OLED顯示器件會進行CUP(Camera Under Panel,屏下攝像頭)設計,但由于OLED顯示面板的膜層較多,OLED顯示面板的透光率較差,導致屏下攝像頭的進光量不足,從而導致屏下攝像頭無法正常工作。
所以,現有OLED顯示器件存在透光率較差,導致屏下攝像頭的攝像效果較差的技術問題。
發明內容
本申請實施例提供一種OLED顯示面板和OLED顯示裝置,用以緩解現有OLED顯示器件存在的透光率較差所導致的屏下攝像頭攝像效果較差的技術問題。
本申請實施例提供一種OLED顯示面板,該OLED顯示面板包括第一顯示區,以及對應電子元件設置位置的第二顯示區,所述OLED顯示面板包括:
襯底;
驅動電路層,設置于所述襯底一側;
發光層,設置于所述驅動電路層遠離所述襯底的一側;
光學耦合層,設置于所述發光層遠離所述驅動電路層的一側;
封裝層,設置于所述光學耦合層遠離所述發光層的一側;
其中,在所述第二顯示區,所述發光層遠離所述驅動電路層的一側設有透光增強層。
在一些實施例中,所述第二顯示區包括對應子像素的顯示區域和對應子像素之間的非顯示區域,所述透光增強層設置于所述非顯示區域。
在一些實施例中,所述透光增強層設置于所述發光層與所述光學耦合層之間。
在一些實施例中,所述透光增強層的厚度范圍為60納米至160納米。
在一些實施例中,所述透光增強層的折射率范圍為1.3至2.0。
在一些實施例中,所述透光增強層設置于所述封裝層遠離所述光學耦合層的一側。
在一些實施例中,在所述顯示區域和所述第一顯示區,所述OLED顯示面板還包括填充層,所述填充層設置于所述透光增強層,所述填充層用于填充所述透光增強層的空隙。
在一些實施例中,所述透光增強層的材料包括環氧系有機材料、亞克力系有機材料中的至少一種。
在一些實施例中,所述透光增強層設置于所述第一顯示區。
同時,本申請實施例提供一種OLED顯示裝置,該OLED顯示裝置包括:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司;武漢華星光電半導體顯示技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司;武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110430590.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種鎢鋼模仁的制造方法
- 下一篇:基于四元數的海面溢油識別方法及系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





