[發明專利]一種考慮統計修正的熒光染色薄膜厚度測量標定方法有效
| 申請號: | 202110429857.5 | 申請日: | 2021-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN113029013B | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | 王文中;陳虹百;梁鶴;趙自強 | 申請(專利權)人: | 北京理工大學 |
| 主分類號: | G01B11/06 | 分類號: | G01B11/06;G06F17/15 |
| 代理公司: | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人: | 代麗;郭德忠 |
| 地址: | 100081 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 考慮 統計 修正 熒光 染色 薄膜 厚度 測量 標定 方法 | ||
1.一種考慮統計修正的熒光染色薄膜厚度測量標定方法,其特征在于,以若干不同標準厚度薄膜的熒光照片作為樣本,使用分組平均擬合法或最小二乘法,建立的薄膜厚度與熒光強度之間的關系式,構建標定系數方程組并求解,得到標定系數表;對于待測厚度薄膜的熒光照片,基于標定系數表以及薄膜厚度與熒光強度之間的關系式,計算得到每個像素單元對應的厚度;
使用分組平均擬合法時,使用的熒光強度的基函數為:
建立的薄膜厚度與熒光強度之間的關系式為:
其中,i、j分別為像素單元所在行和列的編號;n為基函數的階次;N為基函數的總階數;k為圖片編號,k=1.2.3…K,K為圖片總數,要求K=N+1;為第m組第k張圖片的第i行、第j列像素單元對應的薄膜厚度;為第m組第k張圖片的第i行、第j列像素單元對應的第n階基函數項,其為以第m組第k張圖片的熒光強度g(k,m)為自變量的函數;為第m組圖片的第i行、第j列像素單元對應的第n階標定系數;
構建標定系數線性方程組如下:
求解標定系數線性方程組后,對各個樣本組得到的標定系數計算均值如下:
得到所有像素單元的標定系數數組,得到標定系數表;
其中,M為總組數,為計算均值后得到的第i行、第j列像素單元對應的第n階標定系數;
待測像素單元的薄膜厚度計算方式為:
其中,為待測圖片的第i行、第j列像素單元對應的第n階基函數項,hi,j為待測圖片的第i行、第j列像素單元對應的薄膜厚度;
使用最小二乘法進行非線性擬合時,建立的薄膜厚度與熒光強度之間的關系式為:
構建最小二乘法標定系數線性方程組為:
其中,i、j分別為像素單元所在行和列的編號;n為基函數的階次;N為考慮使用的基函數的總階數;k為圖片編號;k=1.2.3…K,K為圖片總數,要求KN;為第k張圖片的第i行、第j列像素單元對應的薄膜厚度;為第k張圖片的第i行、第j列像素單元對應的熒光強度;為第i行、第j列像素單元對應的第n階標定系數。
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