[發(fā)明專利]一種彩膜基板和顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110429430.5
• 申請日: 2021-04-21
• 公開（公告）號: CN113219700B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊維世;王立苗;唐榕;康報虹
• 申請（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1335
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

本申請公開了一種彩膜基板和顯示面板，所述彩膜基板包括襯底、第一黑矩陣層、第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽設(shè)置在非顯示區(qū)的第一黑矩陣層中，環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置，且在垂直方向上貫穿所述第一黑矩陣層；其中，所述第一黑矩陣層包括第一隔塊和第二隔塊，所述第一隔塊和第二隔塊設(shè)置在凹槽中，分別將所述第一凹槽和第二凹槽隔斷。第一凹槽外側(cè)的黑矩陣層中的電荷只能通過第一隔塊流動到第一凹槽和第二凹槽之間的黑矩陣層中，然后通過第二隔塊流動到第二凹槽內(nèi)部的黑矩陣層中，使得電荷流過的路徑長度變長，導(dǎo)電時電荷流過導(dǎo)電材料的截面積變小，導(dǎo)致對應(yīng)黑矩陣層的電阻增大，減小靜電釋放的風(fēng)險，使得顯示面板的顯示效果更加穩(wěn)定。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種彩膜基板和顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對顯示裝置的顯示品質(zhì)的追求原來越高，其中，窄邊框甚至于無邊框顯示屏幕已成為顯示屏幕設(shè)計的亮點之一。在顯示裝置的制造過程中，通常是將陣列基板事先獨立制造，再將陣列基板和彩膜基板進行對盒，形成液晶盒。其中，彩膜基板上位于顯示區(qū)中的黑矩陣層與陣列基板上的數(shù)據(jù)線、掃描線、薄膜晶體管等部件的位置相對應(yīng)，以遮擋住數(shù)據(jù)線、掃描線、薄膜晶體管等部件；彩膜基板上位于非顯示區(qū)中的黑矩陣層與外圍金屬信號線對應(yīng)，以遮擋外圍金屬信號線，并防止漏光。

當(dāng)顯示面板工作時，由于彩膜基板上位于非顯示區(qū)中的黑矩陣層與外圍金屬信號線對應(yīng)，使得非顯示區(qū)中的黑矩陣層容易產(chǎn)生感應(yīng)電壓，產(chǎn)生靜電，影響液晶偏轉(zhuǎn)，進而影響顯示效果；因此如何改善顯示面板的靜電問題成了亟需解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的是提供一種防漏光和防靜電的彩膜基板和顯示面板。

本申請公開了一種彩膜基板,包括襯底、黑矩陣層、第一凹槽和第二凹槽，所述襯底包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)設(shè)置；所述黑矩陣層設(shè)置在所述襯底上，包括位于所述非顯示區(qū)內(nèi)的第一黑矩陣層；所述第一凹槽設(shè)置在所述第一黑矩陣層中，環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置，且所述第一凹槽在所述第一黑矩陣層的厚度方向上貫穿所述第一黑矩陣層；所述第二凹槽設(shè)置在所述第一黑矩陣層中，位于所述第一凹槽和顯示區(qū)之間，所述第二凹槽環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置，且在所述第一黑矩陣層的厚度方向上貫穿所述第一黑矩陣層；其中，所述第一黑矩陣層包括第一隔塊和第二隔塊，所述第一隔塊設(shè)置在所述第一凹槽中，將所述第一凹槽隔斷，使所述第一凹槽首尾不相連；所述第二隔塊設(shè)置在所述第二凹槽中，將所述第二凹槽隔斷，使所述第二凹槽首尾不相連。

可選的，所述第一隔塊的長度與所述第一凹槽斷開的距離相等，所述第一隔塊的長度在1-3um之間；所述第二隔塊的長度與所述第二凹槽斷開的距離相等，所述第二隔塊的長度在1-3um之間。

可選的，所述第一隔塊和所述第二隔塊分別設(shè)置在所述顯示區(qū)的不同側(cè)。

可選的，所述第一隔塊和第二隔塊分別位于所述顯示區(qū)相對的兩側(cè)。

可選的，所述第一隔塊和第二隔塊在所述襯底的軸對稱方向上重合。

可選的，所述第一隔塊位于所述第一凹槽的一個角落，所述第二隔塊位于所述第二凹槽的一個角落，所述第一隔塊與所述第二隔塊關(guān)于所述襯底的中心對稱。

可選的，所述第一凹槽和第二凹槽中填充有遮光絕緣材料。

可選的，所述彩膜基板包括第三凹槽，所述第三凹槽設(shè)置在所述第一黑矩陣層中，位于所述第二凹槽和顯示區(qū)之間；所述第三凹槽環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置形成環(huán)形，且在所述第一黑矩陣層的厚度方向上貫穿所述第一黑矩陣層。