[發明專利]一種空穴傳輸材料及其合成方法與應用有效
| 申請號： | 202110429279.5 | 申請日： | 2021-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN113336772B | 公開（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發明（設計）人： | 姜月;伍業輝;龔志明;王茹;高進偉 | 申請（專利權）人： | 華南師范大學 |
| 主分類號： | C07D495/14 | 分類號： | C07D495/14;H10K85/60 |
| 代理公司： | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人： | 宣國華;劉艷麗 |
| 地址： | 510006 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 空穴 傳輸 材料 及其 合成 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種空穴傳輸材料，其特征是所述空穴傳輸材料的結構式為如下任意一種：
。
2.權利要求1所述的空穴傳輸材料在鈣鈦礦太陽能電池中的應用。
3.一種鈣鈦礦太陽能電池，所述鈣鈦礦太陽能電池的結構自下而上分別為透明基底層、電子傳輸層、鈣鈦礦活性層、空穴傳輸層、空穴阻擋層和金屬電極層，其特征是：所述空穴傳輸層主要由權利要求1中的以二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]吡咯為核、咔唑為端基的空穴傳輸材料制成。
4.根據權利要求3所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征是：所述透明基底層為摻雜氟的氧化錫導電玻璃(FTO)；所述電子傳輸層的材料為二氧化錫，厚度為20～40nm；所述鈣鈦礦活性層的材料為甲胺碘化鉛，其化學結構通式為CH3NH3PbI3，厚度為350～450nm；所述空穴傳輸層的厚度為150～200nm，所述金屬電極層的材料為銀，厚度為80～100nm。
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