[發明專利]場效應晶體管的仿真模型的建立系統及其建立方法

有效

• 申請號: 202110429245.6
• 申請日: 2021-04-21
• 公開（公告）號: CN113128155B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 傅飛;朱能勇
• 申請（專利權）人: 南京華大九天科技有限公司
• 主分類號: G06F30/367
• 分類號: G06F30/367
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種場效應晶體管的仿真模型的建立系統，包括：

場效應晶體管模型，包括場效應晶體管的柵極、源極、漏極和體電極四個連接端，所述場效應晶體管本身內置的二極管柵電流為零，用于根據建立的所述場效應晶體管模型的測試數據獲取電流-電壓參數、電容-電壓參數和高低溫參數；

第一二極管模型，包括第一二極管，連接在所述場效應晶體管模型的體電極和漏極之間；

第二二極管模型，包括第二二極管，連接在所述場效應晶體管模型的體電極和源極之間，

所述第一二極管模型和所述第二二極管模型形成的組合模型，用于獲取其擊穿電壓參數、遂穿電流參數和溫度參數，以及根據所述電流-電壓參數、電容-電壓參數、高低溫參數、擊穿電壓參數、遂穿電流參數和溫度參數，得到所述場效應晶體管的仿真模型，

其中，所述場效應晶體管模型通過所述電流-電壓參數、電容-電壓參數和高低溫參數表征所述場效應晶體管模型的漏電特性和電容電壓特性，

所述第一二極管模型和第二二極管模型通過所述擊穿電壓參數、遂穿電流參數和溫度參數來表征所述仿真模型的漏電特性和電容電壓特性。

2.根據權利要求1所述的場效應晶體管的仿真模型的建立系統，其中，所述擊穿電壓參數分別根據所述第一二極管和所述第二二極管的擊穿電壓獲取，所述遂穿電流參數分別根據所述第一二極管和所述第二二極管的在常溫下的泄露電流獲取，所述溫度參數根據所述場效應晶體管的仿真模型在高溫和低溫下下的泄漏電流獲取。

3.根據權利要求2所述的場效應晶體管的仿真模型的建立系統，其中，所述遂穿電流參數包括二極管底部遂穿飽和電流參數和二極管側壁遂穿飽和電流參數。

4.根據權利要求2所述的場效應晶體管的仿真模型的建立系統，其中，所述常溫為25℃，所述高溫為150℃，所述低溫為-40℃。

5.根據權利要求1所述的場效應晶體管的仿真模型的建立系統，其中，所述場效應晶體管的仿真模型以子電路形式存儲。

6.一種場效應晶體管的仿真模型的建立方法，包括：

根據建立的場效應晶體管模型的測試數據獲取電流-電壓參數、電容-電壓參數和高低溫參數；

將所述場效應晶體管模型中內置二極管對應的柵電流參數置零，所述電流-電壓參數包括所述柵電流參數；

在所述場效應晶體管模型外部構建第一二極管模型和第二二極管模型，形成組合模型；

分別獲取所述第一二極管模型和所述第二二極管模型的擊穿電壓參數、遂穿電流參數和溫度參數；

將所述電流-電壓參數、電容-電壓參數、高低溫參數、擊穿電壓參數、遂穿電流參數和溫度參數均加入所述組合模型中，得到所述場效應晶體管的仿真模型，

其中，所述場效應晶體管模型通過所述電流-電壓參數、電容-電壓參數和高低溫參數表征所述場效應晶體管模型的漏電特性和電容電壓特性，

所述第一二極管模型和第二二極管模型通過所述擊穿電壓參數、遂穿電流參數和溫度參數來表征所述仿真模型的漏電特性和電容電壓特性。

7.根據權利要求6所述的場效應晶體管的仿真模型的建立方法，其中，分別獲取所述第一二極管模型和所述第二二極管模型的擊穿電壓參數、遂穿電流參數和溫度參數包括：

分別根據所述第一二極管模型和所述第二二極管模型中的第一二極管和第二二極管的擊穿電壓獲取各自的擊穿電壓參數；

分別根據所述第一二極管和所述第二二極管在常溫下的泄露電流獲取各自對應的遂穿電流參數；

分別根據所述第一二極管和所述第二二極管在高溫和低溫下的泄露電流獲取各自對應的溫度參數。

8.根據權利要求7所述的場效應晶體管的仿真模型的建立方法，其中，所述遂穿電流參數包括二極管底部遂穿飽和電流參數和二極管側壁遂穿飽和電流參數。

9.根據權利要求7所述的場效應晶體管的仿真模型的建立方法，其中，所述常溫為25℃，所述高溫為150℃，所述低溫為-40℃。

10.根據權利要求9所述的場效應晶體管的仿真模型的建立方法，其中，所述常溫下的泄露電流通過在25℃條件下將所述場效應晶體管模型中柵極電壓置零，測試漏極電流獲得。