[發明專利]氧化銦錫納米線及其制備方法和薄膜晶體管

在審

• 申請號: 202110429100.6
• 申請日: 2021-04-21
• 公開（公告）號: CN113140452A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 卓恩宗;夏玉明;許哲豪;鄭浩旋
• 申請（專利權）人: 北海惠科光電技術有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/417;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 高星

1.一種氧化銦錫納米線的制備方法，包括如下步驟：

提供介孔分子模板，所述介孔分子模板含有納米線形介孔；

在惰性環境中，向所述介孔分子模板所含的所述納米線形介孔中脈沖交替通入氧化銦錫反應源氣體，在所述納米線形介孔中原位原子層沉積氧化銦錫納米線前驅體；

將所述氧化銦錫納米線前驅體進行退火處理，在所述納米線形介孔中原位生成氧化銦錫納米線；再

除去所述介孔分子模板。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：向所述介孔分子模板所含的所述納米線形介孔中脈沖交替通入氧化銦錫反應源氣體的方法包括如下步驟：

將銦前驅體通入所述納米線形介孔中，通入時間為0.01-0.05s；

停止通入所述銦前驅體，停留時間為2-10s；

通入第一惰性氣體進行吹掃處理，所述吹掃處理的時間為5-20s；

將錫前驅體通入所述納米線形介孔中，通入時間為0.01-0.05s；

停止通入所述錫前驅體，停留時間為2-10s；

通入第二惰性氣體進行吹掃處理，所述吹掃處理的時間為2-10s；

將氧前驅體通入所述納米線形介孔中，通入時間為0.01-0.05s；

止通入所述氧前驅體，停留時間為2-10s；

通入第三惰性氣體進行吹掃處理，所述吹掃處理的時間為2-10s；

以所述步驟一至所述步驟九為一個原子沉積循環，所述原子沉積循環至少進行一次。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于：向所述介孔分子模板所含的所述納米線形介孔中脈沖交替通入氧化銦錫反應源氣體的方法包括如下步驟：

將銦前驅體通入所述納米線形介孔中，通入時間為0.02s；

停止通入所述銦前驅體，停留時間為5s；

通入第一惰性氣體進行吹掃處理，所述吹掃處理的時間為10s；

將錫前驅體通入所述納米線形介孔中，通入時間為0.01s；

停止通入所述錫前驅體，停留時間為5s；

通入第二惰性氣體進行吹掃處理，所述吹掃處理的時間為5s；

將氧前驅體通入所述納米線形介孔中，通入時間為0.02s；

止通入所述氧前驅體，停留時間為5s；

通入第三惰性氣體進行吹掃處理，所述吹掃處理的時間為5s。

4.根據權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于：所述銦前驅體包括三甲基銦、三氯化銦、三烴基銦、三烴基銦中的至少一種；和/或

所述錫前驅體包括四(二甲胺基)錫、二丁基錫、二甲基錫、二辛基錫、四苯基錫中的至少一種。

5.根據權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于：所述原子沉積循環進行200-1000次。

6.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于：所述納米線介孔的直徑為2-10nm，長度為微米范圍；和/或

所述退火處理的條件為在溫度為80-250℃，退火處理30-600min。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述介孔分子模板為介孔二氧化硅。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述介孔二氧化硅包括SBA15、MCM41、HPSi中的至少一種。

9.一種氧化銦錫納米線，其特征在于：所述氧化銦錫納米線為根據權利要求1-8所述的制備方法制備獲得。

10.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括基板和依次沉積在所述基板表面的柵金屬層、柵絕緣層、非晶硅有源層、歐姆接觸層、源漏金屬層、鈍化層，在所述鈍化層外表面還沉積有氧化銦錫層，且所述氧化銦錫層至少部分貫穿所述鈍化層并與所述源漏金屬層連接，其中，所述氧化銦錫層中含有權利要求9所述的氧化銦錫納米線。