[發(fā)明專利]像散測(cè)試掩膜版及光刻機(jī)臺(tái)的像散檢測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110428527.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113204166A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 欒會(huì)倩;吳長(zhǎng)明;姚振海 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/44 | 分類號(hào): | G03F1/44;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 羅雅文 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)試 掩膜版 光刻 機(jī)臺(tái) 檢測(cè) 方法 | ||
1.一種像散測(cè)試掩膜版,其特征在于,所述像散測(cè)試掩膜版上布滿像散測(cè)試標(biāo)記,所述像散測(cè)試掩膜版的大小與待測(cè)光刻機(jī)臺(tái)的最大曝光區(qū)域的大小相同;
每個(gè)像散測(cè)試標(biāo)記包括第一類透光圖形和第二類透光圖形;
所述第一類透光圖形由第一透光條和第二透光條構(gòu)成,所述第一透光條的長(zhǎng)邊與所述第二透光條的長(zhǎng)邊平行,所述第一透光條的關(guān)鍵尺寸與所述待測(cè)光刻機(jī)臺(tái)的最小分辨率相同;
所述第二類透光圖形為第三透光條,所述第二透光條和所述第二類透光圖形的關(guān)鍵尺寸大于所述待測(cè)光刻機(jī)臺(tái)的最小分辨率,所述第二透光條和所述第二類透光圖形的關(guān)鍵尺寸不相同;
一個(gè)第一類透光圖形和一個(gè)第二類透光圖形構(gòu)成一組子標(biāo)記;
將所述每個(gè)像散測(cè)試標(biāo)記分為四個(gè)象限,每個(gè)象限至少設(shè)置有3組子標(biāo)記;在第一象限和第三象限中,所述第一類透光圖形位于所述第二類透光圖形的右側(cè);在第二象限中,所述第一類透光圖形位于所述第二類透光圖形的上方;在第四象限中,所述第一類透光圖形位于所述第二類透光圖形的下方;
所述第一象限和所述第二象限中透光圖形的放置方向呈90°,所述第一象限和所述第三象限中透光圖形的放置方向相同,所述第一象限和所述第四象限中透光圖形的放置方向呈90°。
2.一種光刻機(jī)臺(tái)的像散檢測(cè)方法,其特征在于,所述方法包括:
在晶圓表面涂布光刻膠;
利用像散測(cè)試掩膜版和待測(cè)光刻機(jī)臺(tái)對(duì)所述晶圓進(jìn)行曝光;
對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行顯影;
利用套刻機(jī)臺(tái)測(cè)量所述晶圓表面形成的測(cè)試圖形的套刻值;
根據(jù)套刻值與焦距變化量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,確定所述待測(cè)光刻機(jī)臺(tái)對(duì)應(yīng)不同曝光位置的像散值;
其中,所述像散測(cè)試掩膜版上布滿像散測(cè)試標(biāo)記,所述像散測(cè)試掩膜版的大小與待測(cè)光刻機(jī)臺(tái)的最大曝光區(qū)域的大小相同;
每個(gè)像散測(cè)試標(biāo)記包括第一類透光圖形和第二類透光圖形;
所述第一類透光圖形由第一透光條和第二透光條構(gòu)成,所述第一透光條的長(zhǎng)邊與所述第二透光條的長(zhǎng)邊平行,所述第一類透光圖形的關(guān)鍵尺寸與所述待測(cè)光刻機(jī)臺(tái)的最小分辨率相同;
所述第二類透光圖形為第三透光條,所述第二透光條和所述第二類透光圖形的關(guān)鍵尺寸大于所述待測(cè)光刻機(jī)臺(tái)的最小分辨率,所述第二透光條和所述第二類透光圖形的關(guān)鍵尺寸不相同;
一個(gè)第一類透光圖形和一個(gè)第二類透光圖形構(gòu)成一組子標(biāo)記;
將所述每個(gè)像散測(cè)試標(biāo)記分為四個(gè)象限,每個(gè)象限至少設(shè)置有3組子標(biāo)記;在第一象限和第三象限中,所述第一類透光圖形位于所述第二類透光圖形的右側(cè);在第二象限中,所述第一類透光圖形位于所述第二類透光圖形的上方;在第四象限中,所述第一類透光圖形位于所述第二類透光圖形的下方;
所述第一象限和所述第二象限中透光圖形的放置方向呈90°,所述第一象限和所述第三象限中透光圖形的放置方向相同,所述第一象限和所述第四象限中透光圖形的放置方向呈90°。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
獲取套刻值與焦距變化量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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