[發(fā)明專利]一種自動(dòng)檢測(cè)裝置以及自動(dòng)檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110427999.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112986267B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余太平;胡彥潮;許朋飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市羅博威視科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/88 | 分類號(hào): | G01N21/88;G01N21/956;G01N35/00 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 溫宏梅 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 自動(dòng)檢測(cè) 裝置 以及 方法 | ||
1.一種自動(dòng)檢測(cè)方法,其特征在于,應(yīng)用于自動(dòng)檢測(cè)裝置,所述自動(dòng)檢測(cè)裝置包括:
架體;
滑軌,所述滑軌設(shè)于所述架體的上方并與所述架體連接;
載物臺(tái),所述載物臺(tái)設(shè)于所述滑軌的上方并與所述滑軌滑動(dòng)連接,所述載物臺(tái)用于放置被檢測(cè)的納米晶導(dǎo)磁片,所述納米晶導(dǎo)磁片上的膜層包括多個(gè)待檢測(cè)區(qū)域,所述待檢測(cè)區(qū)域?yàn)槎S碼區(qū)域、納米晶區(qū)域、藍(lán)膜區(qū)域、石墨區(qū)域或者銅箔區(qū)域;
沿所述滑軌來(lái)料方向依次設(shè)置的第一光學(xué)檢測(cè)工位、第二光學(xué)檢測(cè)工位、第三光學(xué)檢測(cè)工位、第四光學(xué)檢測(cè)工位、第五光學(xué)檢測(cè)工位以及第六光學(xué)檢測(cè)工位,可對(duì)滑軌上依次輸送來(lái)的納米晶導(dǎo)磁片上的膜層的至少一個(gè)所述待檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),且每個(gè)光學(xué)檢測(cè)工位的位置可相對(duì)其檢測(cè)的所述待檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行調(diào)整;
所述自動(dòng)檢測(cè)裝置包括第一光學(xué)檢測(cè)工位,所述第一光學(xué)檢測(cè)工位用于對(duì)所述藍(lán)膜區(qū)域和/或所述二維碼區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),所述第一光學(xué)檢測(cè)工位包括:
第一支架,所述第一支架設(shè)于所述架體上并與所述架體連接;
第一拍攝設(shè)備,所述第一拍攝設(shè)備設(shè)于所述第一支架上并與所述第一支架連接,且所述第一拍攝設(shè)備可相對(duì)所述第一支架移動(dòng),所述第一拍攝設(shè)備包括第一相機(jī),所述第一相機(jī)為面陣相機(jī);
第一光源,所述第一光源設(shè)于所述第一拍攝設(shè)備的下方,且所述第一光源和所述第一拍攝設(shè)備位于同一軸線并與所述滑軌垂直,所述第一光源為白環(huán)光;
第一光源支架,所述第一光源支架設(shè)于所述第一支架上并與所述第一支架連接,所述第一光源設(shè)于所述第一光源支架上,且所述第一光源支架用于調(diào)節(jié)第一光源的位置;
所述自動(dòng)檢測(cè)裝置包括第二光學(xué)檢測(cè)工位,所述第二光學(xué)檢測(cè)工位用于對(duì)所述納米晶區(qū)域和/或所述銅箔區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),所述第二光學(xué)檢測(cè)工位包括:
第二支架,所述第二支架設(shè)于所述架體上并與所述架體連接;
第二拍攝設(shè)備,所述第二拍攝設(shè)備設(shè)于所述第二支架上并與所述第二支架連接,且所述第二拍攝設(shè)備可相對(duì)所述第二支架轉(zhuǎn)動(dòng),所述第二拍攝設(shè)備與所述滑軌形成第一夾角,所述第一夾角的范圍值為50°~70°,所述第二拍攝設(shè)備包括第二相機(jī),所述第二相機(jī)為線陣相機(jī);
第二光源,所述第二光源為白條光;
第二光源支架,所述第二光源支架設(shè)于架體上并與所述架體連接,所述第二光源設(shè)于第二光源支架上,且所述第二光源支架用于調(diào)節(jié)第二光源的位置;
所述自動(dòng)檢測(cè)裝置包括第三光學(xué)檢測(cè)工位,所述第三光學(xué)檢測(cè)工位用于對(duì)所述石墨區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),所述第三光學(xué)檢測(cè)工位包括:
第三支架,所述第三支架設(shè)于所述架體上并與所述架體連接;
第三拍攝設(shè)備,所述第三拍攝設(shè)備設(shè)于所述第三支架上并與所述第三支架連接,且所述第三拍攝設(shè)備可相對(duì)所述第三支架轉(zhuǎn)動(dòng),所述第三拍攝設(shè)備與所述滑軌形成第二夾角,所述第二夾角的范圍值為70°~90°,所述第三拍攝設(shè)備包括第三相機(jī),所述第三相機(jī)為線陣相機(jī);
第三光源,所述第三光源為白條光;
第三光源支架,所述第三光源支架設(shè)于架體上并與所述架體連接,所述第三光源設(shè)于第三光源支架上,且所述第三光源支架用于調(diào)節(jié)第三光源的位置;
所述自動(dòng)檢測(cè)裝置包括第四光學(xué)檢測(cè)工位,所述第四光學(xué)檢測(cè)工位用于對(duì)所述納米晶區(qū)域和/或所述石墨區(qū)域和/或所述銅箔區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),所述第四光學(xué)檢測(cè)工位包括:
第四支架,所述第四支架設(shè)于所述架體上并與所述架體連接;
第四拍攝設(shè)備,所述第四拍攝設(shè)備設(shè)于所述第四支架上并與所述第四支架連接,且所述第四拍攝設(shè)備可相對(duì)所述第四支架移動(dòng),所述第四拍攝設(shè)備包括第四相機(jī),所述第四相機(jī)為面陣相機(jī);
第四光源,所述第四光源設(shè)于所述第四拍攝設(shè)備的下方,且所述第四光源和所述第四拍攝設(shè)備位于同一軸線并與所述滑軌垂直,所述第四光源為藍(lán)環(huán)光;
第四光源支架,所述第四光源支架設(shè)于所述第四支架上并與所述第四支架連接,所述第四光源設(shè)于所述第四光源支架上,且所述第四光源支架用于調(diào)節(jié)第四光源的位置;
所述自動(dòng)檢測(cè)裝置包括第五光學(xué)檢測(cè)工位,所述第五光學(xué)檢測(cè)工位用于對(duì)所述納米晶區(qū)域和/或所述石墨區(qū)域和/或所述藍(lán)膜區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),所述第五光學(xué)檢測(cè)工位包括:
第五支架,所述第五支架設(shè)于所述架體上并與所述架體連接;
第五拍攝設(shè)備,所述第五拍攝設(shè)備設(shè)于所述第五支架上并與所述第五支架連接,且所述第五拍攝設(shè)備可相對(duì)所述第五支架移動(dòng),所述第五拍攝設(shè)備包括第五相機(jī),所述第五相機(jī)為面陣相機(jī);
第五光源,所述第五光源設(shè)于所述第五拍攝設(shè)備的下方,所述第五光源和所述第五拍攝設(shè)備位于同一軸線并與所述滑軌垂直,所述第五光源為白同軸光;
第五光源支架,所述第五光源支架設(shè)于所述第五支架上并與所述第五支架連接,所述第五光源設(shè)于所述第五光源支架上,且所述第五光源支架用于調(diào)節(jié)第五光源的位置;
所述自動(dòng)檢測(cè)裝置包括第六光學(xué)檢測(cè)工位,所述第六光學(xué)檢測(cè)工位用于對(duì)所述納米晶區(qū)域進(jìn)行檢測(cè),所述第六光學(xué)檢測(cè)工位包括:
第六支架,所述第六支架設(shè)于所述架體上并與所述架體連接;
第六拍攝設(shè)備,所述第六拍攝設(shè)備設(shè)于所述第六支架上并與所述第六支架連接,且所述第六拍攝設(shè)備可相對(duì)第六支架移動(dòng),所述第六拍攝設(shè)備包括第六相機(jī),所述第六相機(jī)為面陣相機(jī);
第六光源,所述第六光源為紅條光;
第六光源支架,所述第六光源支架設(shè)于所述第六支架上并與所述第六支架連接,所述第六光源設(shè)于所述第六光源支架上,且所述第六光源支架用于調(diào)節(jié)第六光源的位置;
所述自動(dòng)檢測(cè)方法包括:
通過(guò)所述第一光學(xué)檢測(cè)工位的第一拍攝設(shè)備采集所述納米晶導(dǎo)磁片的藍(lán)膜區(qū)域和/或二維碼區(qū)域的圖像,以確認(rèn)藍(lán)膜區(qū)域是否存在藍(lán)膜偏位,和/或二維碼區(qū)域是否存在不良缺陷,所述不良缺陷包括二維碼變形、斷碼;
通過(guò)所述第二光學(xué)檢測(cè)工位的第二拍攝設(shè)備采集所述納米晶導(dǎo)磁片的納米晶區(qū)域和/或銅箔區(qū)域的圖像,以確認(rèn)納米晶區(qū)域是否存在鼓包、成品壓傷、碎裂,和/或銅箔區(qū)域是否存在銅箔壓印;
通過(guò)所述第三光學(xué)檢測(cè)工位的第三拍攝設(shè)備采集所述納米晶導(dǎo)磁片的石墨區(qū)域的圖像,以確認(rèn)石墨區(qū)域是否存在石墨壓痕、石墨分層;
通過(guò)所述第四光學(xué)檢測(cè)工位的第四拍攝設(shè)備采集所述納米晶導(dǎo)磁片的納米晶區(qū)域和/或石墨區(qū)域和/或銅箔區(qū)域的圖像,以確認(rèn)納米晶區(qū)域是否存在納米晶膠皺、異物,和/或石墨區(qū)域是否存在缺石墨、石墨皺,和/或銅箔區(qū)域是否存在銅箔膠皺;
通過(guò)所述第五光學(xué)檢測(cè)工位的第五拍攝設(shè)備采集所述納米晶導(dǎo)磁片的納米晶區(qū)域和/或石墨區(qū)域和/或藍(lán)膜區(qū)域的圖像,以確認(rèn)納米晶區(qū)域是否存在納米晶包邊褶皺、裂紋,和/或石墨區(qū)域是否存在石墨包邊皺,和/或藍(lán)膜區(qū)域是否存在藍(lán)膜褶皺;
通過(guò)所述第六光學(xué)檢測(cè)工位的第六拍攝設(shè)備采集所述納米晶導(dǎo)磁片的納米晶區(qū)域的圖像,以確認(rèn)納米晶區(qū)域是否存在漏銅。
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G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
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