[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110425233.6
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN113109959A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 深井修次;初見亮;久保田大介
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1362;G09G3/36
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 宋俊寅

1.一種顯示裝置，其特征在于，

具有晶體管、以及所述晶體管上的像素電極和第一公共電極，

所述晶體管在溝道中具有氧化物半導(dǎo)體層，

所述氧化物半導(dǎo)體層具有多個結(jié)晶部，

所述多個結(jié)晶部具有不同的晶體取向，

所述像素電極具有夾著絕緣層與所述第一公共電極重疊的區(qū)域，

所述第一公共電極具有開口。

2.一種顯示裝置，其特征在于，

具有晶體管、以及所述晶體管上的像素電極和第一公共電極，

所述晶體管在溝道中具有氧化物半導(dǎo)體層，

所述氧化物半導(dǎo)體層由疊層膜構(gòu)成，

所述疊層膜中的一個具有多個結(jié)晶部，

所述多個結(jié)晶部具有不同的晶體取向，

所述像素電極具有夾著絕緣層與所述第一公共電極重疊的區(qū)域，

所述第一公共電極具有開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，

所述疊層膜中的另一個具有c軸取向的結(jié)晶部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于，

所述氧化物半導(dǎo)體層具有In、Ga、和Zn。