[發(fā)明專利]一種基于滾筒的芯片擴(kuò)張及巨量轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110425226.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113270341B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊冠南;林偉;吳松;崔成強(qiáng);張昱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 王錦霞

1.一種基于滾筒的芯片擴(kuò)張及巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括以下步驟：

S10.選擇柔性拉伸膜(1)，所述柔性拉伸膜(1)包括自上而下順次設(shè)置的保護(hù)膜層(11)、臨時(shí)鍵合膠層(12)以及薄膜拉伸層(13)，撕開(kāi)保護(hù)膜層(11)，將芯片(2)轉(zhuǎn)移到臨時(shí)鍵合膠層(12)；其中，柔性拉伸膜(1)平面為XY平面；

S20.沿X方向拉伸柔性拉伸膜(1)，直至X方向芯片(2)間距擴(kuò)張至設(shè)定值；沿Y方向拉伸柔性拉伸膜(1)，直至Y方向芯片(2)間距擴(kuò)張至設(shè)定值；

S30.激光照射臨時(shí)鍵合膠層(12)，被照射處的臨時(shí)鍵合膠失效，芯片(2)脫離臨時(shí)鍵合膠層(12)并轉(zhuǎn)移至承載基板(10)，完成單種類型芯片(2)的巨量轉(zhuǎn)移；

S40.重復(fù)步驟S10～S30，依次完成多種類型芯片(2)的巨量轉(zhuǎn)移；

其中，步驟S20中，X方向、Y方向至少一個(gè)方向上，柔性拉伸膜(1)的拉伸擴(kuò)張通過(guò)將柔性拉伸膜(1)的兩端分別纏繞于第一滾筒(3)、第二滾筒(4)上及控制第一滾筒(3)與第二滾筒(4)之間的轉(zhuǎn)速比或控制第一滾筒(3)與第二滾筒(4)之間的距離實(shí)現(xiàn)；控制第一滾筒(3)與第二滾筒(4)之間的轉(zhuǎn)速比時(shí)，第一滾筒(3)為普通滾筒，第二滾筒(4)為可擴(kuò)張滾筒，進(jìn)行X方向和Y方向擴(kuò)張時(shí)：調(diào)整第一滾筒(3)和第二滾筒(4)轉(zhuǎn)向至朝同一方向轉(zhuǎn)動(dòng)，使得柔性拉伸膜(1)纏繞上第二滾筒(4)；同時(shí)，調(diào)節(jié)第二滾筒(4)的轉(zhuǎn)速使得第二滾筒(4)外徑線速度高于第一滾筒(3)的外徑線速度，柔性拉伸膜(1)受到拉伸；當(dāng)柔性拉伸膜(1)全部繞上第二滾筒(4)后，擴(kuò)張第二滾筒(4)內(nèi)徑至設(shè)定大小；

步驟S20在進(jìn)行拉伸擴(kuò)張的過(guò)程中，對(duì)芯片(2)間距進(jìn)行實(shí)時(shí)同步檢測(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于滾筒的芯片擴(kuò)張及巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，步驟S10中，所述臨時(shí)鍵合膠層(12)選自聚烴基丙烯酸酯類、聚苯基乙烯類、聚酯類或者丙烯酸類熱塑型樹(shù)脂中的一種或數(shù)種，所述薄膜拉伸層(13)的材料選自PI、PE、PET、PEN、PVC、BOPP或BOPS的一種或數(shù)種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于滾筒的芯片擴(kuò)張及巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，步驟S10中，對(duì)柔性拉伸膜(1)底面進(jìn)行防膠粘處理，使其與臨時(shí)鍵合膠層(12)不會(huì)發(fā)生粘合；所述防膠粘處理方法為涂覆不粘層，所述不粘層選自聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、過(guò)氟烷基化物、硅膠油中的一種或數(shù)種的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的基于滾筒的芯片擴(kuò)張及巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，步驟S20中，柔性拉伸膜(1)為長(zhǎng)帶狀，寬度小，Y方向可放置一個(gè)或數(shù)個(gè)芯片(2)，長(zhǎng)度長(zhǎng)，X方向可陣列放置大量芯片(2)；Y方向拉伸柔性拉伸膜(1)，直至Y方向芯片(2)間距擴(kuò)張至設(shè)定值；后將薄膜拉伸層(13)沿X方向分為多段，每一段薄膜拉伸層(13)的兩端分別繞于第一滾筒(3)和第二滾筒(4)，薄膜拉伸層(13)位于外圈，控制第一滾筒(3)與第二滾筒(4)之間的轉(zhuǎn)速比或控制第一滾筒(3)與第二滾筒(4)之間的距離，拉伸外圈的薄膜拉伸層(13)至X方向芯片(2)間距至設(shè)定值；第一滾筒(3)或第二滾筒(4)將拉伸擴(kuò)張好的薄膜拉伸層(13)收集，并處理下一段柔性拉伸膜(1)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于滾筒的芯片擴(kuò)張及巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)到X方向上芯片(2)間距不均勻時(shí)，按以下步驟對(duì)芯片(2)間距進(jìn)行補(bǔ)償：轉(zhuǎn)動(dòng)第一滾筒(3)、第二滾筒(4)至芯片(2)距離異常區(qū)域的兩端，增加第一滾筒(3)、第二滾筒(4)之間的距離直至芯片(2)距離達(dá)到設(shè)定值。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于滾筒的芯片擴(kuò)張及巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)到X方向上芯片(2)間距不均勻時(shí)，按以下步驟對(duì)芯片(2)間距進(jìn)行補(bǔ)償：在芯片(2)距離異常區(qū)域的兩端分別設(shè)置第一調(diào)節(jié)滾筒組(7)和第二調(diào)節(jié)滾筒組(8)，第一調(diào)節(jié)滾筒組(7)和第二調(diào)節(jié)滾筒組(8)壓緊芯片(2)距離異常區(qū)域的兩端，調(diào)節(jié)第一調(diào)節(jié)滾筒組(7)和第二調(diào)節(jié)滾筒組(8)之間的距離或調(diào)整第一調(diào)節(jié)滾筒組(7)和第二調(diào)節(jié)滾筒組(8)的轉(zhuǎn)速差，拉伸擴(kuò)張芯片(2)距離至設(shè)定值。