[發明專利]一種GaN基DBR及其制備方法在審
| 申請號： | 202110424304.0 | 申請日： | 2021-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN113206173A | 公開（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發明（設計）人： | 崔積適 | 申請（專利權）人： | 三明學院 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 楊唯 |
| 地址： | 365000 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan dbr 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaN基DBR的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，首先在本征GaN基底上外延第一層本征GaN層；
S2，在第一層本征GaN層的中部區域進行離子注入摻雜；
S3，在摻雜后的第一層本征GaN層上再外延第二層本征GaN層；
S4，在第二層本征GaN層上外延第三層本征GaN層，在第三層本征GaN層的中部區域進行離子注入摻雜；在摻雜后的第三層本征GaN層上再外延第四層本征GaN層；
S5，多次重復上述步驟S4，形成多層重復結構；
S6，通過蝕刻溶液對所述多層重復結構進行電化學腐蝕，摻雜區域被蝕刻溶液腐蝕形成空洞結構，得到具有GaN基/空氣周期結構的DBR。
2.根據權利要求1所述的GaN基DBR的制備方法，其特征在于，步驟S2和步驟S4中，所述離子為鋁離子或銦離子。
3.根據權利要求1所述的GaN基DBR的制備方法，其特征在于，步驟S5中，重復步驟S4四次，形成包含有六層離子摻雜層的重復結構。
4.根據權利要求1所述的GaN基DBR的制備方法，其特征在于，步驟S6中，所述蝕刻溶液為氫氟酸、草酸或者氫氧化鈉溶液。
5.一種GaN基DBR，其特征在于，根據權利要求1～4任意一項所述的GaN基DBR的制備方法得到；所述GaN基DBR的周緣為多層重復的無摻雜本征GaN層結構，且是作為所述GaN基DBR的支撐結構。
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