[發(fā)明專利]驅(qū)動(dòng)電路及控制芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110422590.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112994679A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭晉亮;沈玉菡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市拓爾微電子有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H03K19/0175 | 分類號(hào): | H03K19/0175;H03K17/56 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 驅(qū)動(dòng) 電路 控制 芯片 | ||
1.一種驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,應(yīng)用于控制芯片中,所述控制芯片與外部電源連接;所述驅(qū)動(dòng)電路包括:電平轉(zhuǎn)換模塊,以及與所述電平轉(zhuǎn)換模塊分別連接的脈沖寬度調(diào)制模塊、儲(chǔ)能電容、N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS管M1和開(kāi)關(guān)模塊;所述開(kāi)關(guān)模塊還與所述儲(chǔ)能電容和所述外部電源連接;
所述脈沖寬度調(diào)制模塊,用于按照預(yù)設(shè)周期交替向所述電平轉(zhuǎn)換模塊輸出第一電平和第二電平;其中,所述第二電平大于所述第一電平;
所述開(kāi)關(guān)模塊,用于在所述脈沖寬度調(diào)制模塊輸出所述第一電平的情況下導(dǎo)通,在所述脈沖寬度調(diào)制模塊輸出所述第二電平時(shí)斷開(kāi);
所述儲(chǔ)能電容,用于在所述開(kāi)關(guān)模塊導(dǎo)通時(shí)第一端接通所述外部電源,并存儲(chǔ)所述外部電源提供的電能,在所述開(kāi)關(guān)模塊斷開(kāi)時(shí)向所述電平轉(zhuǎn)換模塊提供差值電壓;所述差值電壓為所述儲(chǔ)能電容兩端的電壓差;
所述電平轉(zhuǎn)換模塊,用于在所述脈沖寬度調(diào)制模塊輸出第二電平時(shí),基于所述差值電壓輸出第三電平,所述第三電平大于所述M1的柵極的預(yù)設(shè)電平值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述電平轉(zhuǎn)換模塊,具體用于基于所述差值電壓和所述外部電源的輸出電壓輸出所述第三電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,
所述電平轉(zhuǎn)換模塊包括上拉電阻、NMOS管M2、P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS管M3和NMOS管M4;
所述上拉電阻分別與所述儲(chǔ)能電容第一端、所述M2的漏極連接;
所述M2的柵極與所述脈沖寬度調(diào)制模塊的輸出端連接,所述M2的漏極分別與所述M3的柵極、所述M4的柵極連接,所述M2的源極與所述外部電源連接;
所述M3的源極與所述儲(chǔ)能電容第一端連接,所述M3的漏極分別與所述M4的漏極、所述M1的柵極連接;
所述M4的源極與所述儲(chǔ)能電容第二端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述M1的源極與負(fù)載連接,所述M1的漏極與所述外部電源連接,所述M1的柵極與所述電平轉(zhuǎn)換模塊的輸出端連接,當(dāng)所述電平轉(zhuǎn)換模塊輸出第三電平時(shí),所述M1的導(dǎo)通電流流經(jīng)所述負(fù)載。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一電平為0電平。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述開(kāi)關(guān)模塊為二極管;所述二極管的正極與所述外部電源連接,所述二極管的負(fù)極分別與所述儲(chǔ)能電容和所述電平轉(zhuǎn)換模塊連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述開(kāi)關(guān)模塊為P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS管M5;
所述M5的柵極與所述電平轉(zhuǎn)換模塊的輸出端連接,所述M5的源極與所述儲(chǔ)能電容連接;所述M5的漏極與所述外部電源連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)電路與所述控制芯片外部的可變電容連接;所述脈沖寬度調(diào)制模塊的輸入端與所述可變電容連接,所述預(yù)設(shè)周期為根據(jù)所述可變電容當(dāng)前的電容值確定的。
9.一種控制芯片,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的控制芯片,其特征在于,所述控制芯片包括轉(zhuǎn)換引腳,脈沖寬度調(diào)制模塊通過(guò)所述轉(zhuǎn)換引腳與所述控制芯片外部的可變電容連接。
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