[發(fā)明專利]一種多孔氮化物電極及其制備方法和應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110422271.6 | 申請日： | 2021-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN113174584A | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃輝;渠波;陳順姬 | 申請（專利權）人： | 黃輝;渠波;陳順姬 |
| 主分類號： | C23C16/34 | 分類號： | C23C16/34;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C25D9/04;C25B1/04;C25B11/091;G01N27/30;G01N27/26 |
| 代理公司： | 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137 | 代理人： | 徐李娜;雷利平 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多孔 氮化物 電極 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種多孔氮化物電極，其特征在于：包括襯底、沉積在襯底上的三維多孔骨架結構、以及包覆三維多孔骨架結構的包覆層，所述三維多孔骨架結構材料包括氮化鎵、氮化銦、氮化鋁中的一種或其復合物，所述包覆層材料包括氮化鈦、氮化鈷、氮化鎳中的一種或其復合物。
2.根據權利要求1所述的一種多孔氮化物電極，其特征在于：所述三維多孔骨架結構包括多孔膜、微米柱陣列、納米線陣列以及它們的復合結構。
3.根據權利要求2所述的一種多孔氮化物電極，其特征在于：所述三維多孔骨架結構為多孔膜。
4.根據權利要求2所述的一種多孔氮化物電極，其特征在于：所述三維多孔骨架結構由多孔膜以及多孔膜表面的納米線陣列或納米線交叉網絡構成。
5.根據權利要求1所述的一種多孔氮化物電極，其特征在于：所述包覆層由包層以及包層表面的多孔膜、納米片、納米線或納米管構成。
6.根據權利要求5所述的一種多孔氮化物電極，其特征在于：所述包覆層由包層以及包層表面的納米片構成。
7.根據權利要求1所述的一種多孔氮化物電極，其特征在于：所述襯底為藍寶石襯底或硅襯底。
8.權利要求1-7任意一項所述的一種多孔氮化物電極的制備方法，其特征在于：在襯底表面生長一層三維多孔骨架結構，然后三維多孔骨架表面生長包覆層，即得所述多孔氮化物電極。
9.根據權利要求8所述的一種多孔氮化物電極的制備方法，其特征在于：生長方法包括金屬有機物化學氣相沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、水熱合成、分子束外延、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、磁控濺射以及電化學沉積中的任意一種或多種組合。
10.權利要求1-7任意一項所述的多孔氮化物電極在電化學傳感器以及電解水中的應用。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
