[發明專利]包含堆疊水平電容器結構的設備以及相關方法、存儲器裝置和電子系統

在審

• 申請號: 202110421917.9
• 申請日: 2021-04-20
• 公開（公告）號: CN113745224A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: W·M·布魯爾;C·洛克;K·B·坎貝爾
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

1.一種設備，其包括：

翅片結構，其包括各個層的導電材料，所述導電材料包括在第一水平方向上延伸的細長部分；

第一導電線，其在橫向于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸，所述第一導電線的至少一部分垂直對齊；

第二導電線，其在橫向于所述第一水平方向和所述第二水平方向中的每一個的垂直方向上延伸；

水平電容器結構，其包括所述翅片結構的所述導電材料；和

存取裝置，其接近所述第一導電線和所述第二導電線的交叉點，所述存取裝置包括所述翅片結構的所述導電材料。

2.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括在所述第二水平方向上延伸的支撐結構，所述支撐結構包括位于所述翅片結構的所述各個層的導電材料的垂直鄰接部分之間的電絕緣材料。

3.根據權利要求1所述的設備，其中各個存取裝置包括至少部分地圍繞柵極介電材料的柵極結構，所述柵極結構中的至少一些基本上圍繞所述翅片結構的所述導電材料。

4.根據權利要求3所述的設備，其中各個水平電容器結構和相應的存取裝置共享公共柵極結構。

5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的設備，其中所述第一導電線被配置為數據線，所述翅片結構的所述各個層的導電材料上的所述水平電容器結構共享公共數據線。

6.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的設備，其中所述第二導電線包括存取線，單個垂直列中對齊的所述水平電容器結構共享公共存取線。

7.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的設備，其進一步包括：

階梯結構，其鄰近所述翅片結構的所述導電材料的所述細長部分的縱向端或橫向側中的至少一個；和

所述階梯結構的相應階梯上的導電觸點，相應層上的所述第一導電線中的每一個共享公共導電觸點。

8.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的設備，其中相鄰翅片結構的所述導電材料的相鄰部分在接近所述翅片結構的縱向端的接觸區域中彼此電連接。

9.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的設備，其進一步包括所述水平電容器結構下方的基礎材料，其中所述翅片結構的所述導電材料的所述細長部分基本上平行于所述基礎材料的主平面延伸，并且所述第二導電線的細長部分基本上橫向于所述基礎材料的所述主平面延伸。

10.一種形成設備的方法，其包括：

形成至少一個開口，其垂直延伸通過基礎材料上方的交替的導電材料和介電材料的堆疊，所述堆疊的所述交替的導電材料和介電材料的其余部分限定在第一水平方向上延伸的翅片結構；

形成至少一個柵極結構，其鄰近所述翅片結構的所述導電材料；

形成水平電容器結構，其鄰近所述翅片結構的各個層的導電材料；

形成至少一個階梯結構，其包括交替的導電材料和介電材料的所述堆疊的材料；

形成電絕緣材料，其位于所述堆疊的至少一部分上方；和

通過所述電絕緣材料中的開口形成導電觸點。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

形成第一導電線，其包含所述堆疊的所述導電材料；和

形成第二導電線，其包含所述至少一個柵極結構的材料，所述第二導電線在橫向于所述翅片結構的所述第一水平方向和所述基礎材料的主平面中的每一個的垂直方向上延伸。

12.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

將所述翅片結構的所述導電材料形成為無結納米線，其包括導電摻雜半導體材料，所述導電摻雜半導體材料包括p型摻雜劑或n型摻雜劑中的一種而不包括所述p型摻雜劑或所述n型摻雜劑中的另一種；和

形成存取裝置，其包含所述無結納米線的所述導電摻雜半導體材料的一部分。