[發明專利]一種低濃度高測量精度的氮氧傳感器陶瓷芯片

在審

• 申請號: 202110420449.3
• 申請日: 2021-04-19
• 公開（公告）號: CN113125542A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 皇曉輝;郝軍朋;陸克軍
• 申請（專利權）人: 連云港感瓷電子科技有限公司
• 主分類號: G01N27/407
• 分類號: G01N27/407;G01N27/41
• 代理公司: 連云港聯創專利代理事務所(特殊普通合伙) 32330
• 代理人: 劉剛

1.一種低濃度高測量精度的氮氧傳感器陶瓷芯片，其特征在于，包括第一功能層(1)，所述第一功能層(1)的底部設有第二功能層(2)，所述第二功能層(2)的底部設有第三功能層(3)，所述第三功能層(3)的底部設有第四功能層(4)，所述第四功能層(4)的底部設有第五功能層(5)，所述第五功能層(5)的底部設有第六功能層(6)，所述第一功能層(1)的頂部一端固定連接有上引腳電極(7)，所述第六功能層(6)的底部相對上引腳電極(7)的位置固定連接有下引腳電極(8)，所述第六功能層(6)的頂部遠離上引腳電極(7)的一端固定連接有主泵電極(11)，所述主泵電極(11)靠近第一功能層(1)的一側固定連接有主泵電極下絕緣層。

2.根據權利要求1所述的一種低濃度高測量精度的氮氧傳感器陶瓷芯片，其特征在于：所述第二功能層(2)遠離上引腳電極(7)的一端且位于第一功能層(1)與第三功能層(3)之間設有測量空腔(18)，所述測量空腔(18)的底部固定連接有測量電極(10)，所述第一功能層(1)與第三功能層(3)之間位于測量空腔(18)遠離第二功能層(2)的一側設有第二泵氧空腔(17)，所述第二泵氧空腔(17)遠離測量空腔(18)的一側設有第一泵氧空腔(16)，所述第一泵氧空腔(16)遠離第二泵氧空腔(17)的一側設有第二緩沖腔(15)，所述第二緩沖腔(15)遠離第一泵氧空腔(16)的一側設有第一緩沖腔(14)，所述第一泵氧空腔(16)與第二泵氧空腔(17)的頂部之間固定連接有第一泵氧電極(12)。

3.根據權利要求1所述的一種低濃度高測量精度的氮氧傳感器陶瓷芯片，其特征在于：所述第四功能層(4)與第五功能層(5)之間設有參比電極(9)，所述參比電極(9)的外部設有參比電極上下絕緣層。

4.根據權利要求1所述的一種低濃度高測量精度的氮氧傳感器陶瓷芯片，其特征在于：所述第五功能層(5)與第六功能層(6)之間設有加熱電極(19)，所述加熱電極(19)的外部設有加熱電極上下絕緣層，所述第六功能層(6)位于加熱電極(19)與下引腳電極(8)之間開設有通槽，所述加熱電極(19)與下引腳電極(8)電性連接，所述第六功能層(6)的通槽內部涂抹有絕緣材料。

5.根據權利要求1所述的一種低濃度高測量精度的氮氧傳感器陶瓷芯片，其特征在于：所述第一功能層(1)為泵氧電極層，所述第二功能層(2)為空腔層，所述第三功能層(3)為測量電極層，所述第四功能層(4)為參比通道層，所述第五功能層(5)為應力釋放層，所述第六功能層(6)為加熱器層。

6.根據權利要求1所述的一種低濃度高測量精度的氮氧傳感器陶瓷芯片，其特征在于：所述擴散障(13)的漿料主成分為顆粒大小50nm～100nm的氧化鋁，所述擴散障(13)的造孔劑為顆粒大小50nm～100nm的碳粉。