[發明專利]壓力傳感器和電子設備

有效

• 申請號: 202110414419.1
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113301190B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 安亞斌;賀海明;趙明遠
• 申請（專利權）人: 榮耀終端有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02;G01L1/22;G01L1/18;H04M1/72454
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種壓力傳感器，其特征在于，包括：惠斯通電橋和熱發射二極管，所述惠斯通電橋包括第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻，所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻耦接形成環路，所述第一電阻和所述第二電阻的耦接點作為所述惠斯通電橋的第一輸入端，所述第三電阻和所述第四電阻的耦接點作為所述惠斯通電橋的第二輸入端，所述惠斯通電橋的第一輸入端和第二輸入端耦接交流信號發生器；所述第二電阻和所述第四電阻的耦接點作為所述惠斯通電橋的第一輸出端耦接至所述熱發射二極管的第一端以及電容，所述第一電阻和所述第三電阻的耦接點作為所述惠斯通電橋的第二輸出端；

其中，所述壓力傳感器設置于有機發光二極管OLED顯示屏的層間電介質層中，所述第一電阻、所述第二電阻和所述第三電阻為定值電阻，所述第四電阻為所述OLED顯示屏的等效電阻；所述熱發射二極管包括溝道和金屬層，所述溝道與所述金屬層形成熱發射界面，在溫度升高時，所述熱發射二極管的等效阻值降低，所述第四電阻的阻值升高；在溫度降低時，所述熱發射二極管的等效阻值升高，所述第四電阻的阻值降低；所述第一輸入端和所述第二輸入端用于輸入恒定電壓或脈沖電壓，所述惠斯通電橋的第二輸出端以及所述熱發射二極管的第二端用于輸出電信號；

所述熱發射二極管包括低溫多晶硅P溝道金屬氧化物半導體LTPS PMOS以及設置在所述LTPS PMOS上的第一金屬層，所述LTPS PMOS與所述第一金屬層點狀接觸，所述LTPS PMOS引出第一觸點，所述第一金屬層引出第二觸點，所述第一觸點為所述熱發射二極管的第一端，所述第二觸點為所述熱發射二極管的第二端，或者，所述第一觸點為所述熱發射二極管的第二端，所述第二觸點為所述熱發射二極管的第一端。

2.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述熱發射二極管包括銦鎵鋅氧化物IGZO以及設置在所述IGZO上的第二金屬層，所述IGZO與所述第二金屬層點狀接觸，所述第二金屬層引出第一觸點，所述IGZO引出第二觸點。

3.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述熱發射二極管包括LTPS PMOS、IGZO、設置在所述LTPS PMOS上的第一金屬層以及設置在所述IGZO上的第二金屬層，所述第一金屬層和所述第二金屬層相耦接，所述LTPS PMOS與所述第一金屬層點狀接觸，所述IGZO與所述第二金屬層點狀接觸，所述LTPS PMOS引出第一觸點，所述IGZO引出第二觸點。

4.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述金屬層包括鉬、鋁、銅中的至少一種。

5.根據權利要求1-4任一項所述的壓力傳感器，其特征在于，所述第一電阻、所述第二電阻或所述第三電阻為薄膜電阻，所述薄膜電阻包括半導體薄膜電阻、高阻抗的金屬薄膜電阻。

6.根據權利要求5所述的壓力傳感器，其特征在于，所述半導體薄膜電阻包括無定形硅薄膜電阻、LTPS薄膜電阻、IGZO薄膜電阻。

7.根據權利要求5所述的壓力傳感器，其特征在于，所述高阻抗的金屬薄膜電阻包括鎳、銅、猛、鉻。

8.一種電子設備，其特征在于，包括有機發光二極管OLED顯示屏和處理器，所述顯示屏中包括如權利要求1-7任一項所述的壓力傳感器，所述壓力傳感器用于向所述處理器輸出與所述OLED顯示屏的觸摸壓力相對應的電信號。