[發明專利]基于束縛電荷增強2DEG的氧化鎵異質結結構和異質結器件有效
| 申請號： | 202110414348.5 | 申請日： | 2021-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN113224142B | 公開（公告）日： | 2023-03-14 |
| 發明（設計）人： | 馬曉華;陸小力;鄭雪峰;王志成;何云龍;郝躍 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/267 | 分類號： | H01L29/267;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710000 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 束縛 電荷 增強 deg 氧化 鎵異質結 結構 異質結 器件 | ||
1.一種基于束縛電荷增強2DEG的氧化鎵異質結結構，其特征在于，包括：自下而上依次層疊設置的Ga2O3層、第一半導體層和第二半導體層，其中，
所述第一半導體層的禁帶寬度大于所述Ga2O3層的禁帶寬度；所述第一半導體層的材料為AlN；
所述第二半導體層的介電常數小于所述第一半導體層的介電常數；所述第二半導體層的介電常數≤3.9C2·N-1·M-2；在所述第二半導體層上施加正向電場，增大AlN/Ga2O3異質結界面的二維電子氣濃度。
2.根據權利要求1所述的基于束縛電荷增強2DEG的氧化鎵異質結結構，其特征在于，所述第二半導體層的材料為二氧化硅、氟硅玻璃、聚四氯乙烯、聚酰亞胺或無定型碳氮薄膜。
3.根據權利要求1所述的基于束縛電荷增強2DEG的氧化鎵異質結結構，其特征在于，所述第一半導體層的厚度為50-80nm。
4.根據權利要求1所述的基于束縛電荷增強2DEG的氧化鎵異質結結構，其特征在于，所述第二半導體層的厚度為50-80nm。
5.一種異質結器件，其特征在于，包括：
自下而上依次層疊設置的Ga2O3層、第一半導體層和第二半導體層，所述Ga2O3層、所述第一半導體層和所述第二半導體層形成氧化鎵異質結結構；
源極區域和漏極區域，位于所述氧化鎵異質結結構內，且相對設置在所述氧化鎵異質結結構的兩側；
源極，設置在所述源極區域上；
漏極，設置在所述漏極區域上；
柵極，設置在所述第二半導體層上，且位于所述源極和所述漏極之間；
其中，所述第一半導體層的禁帶寬度大于所述Ga2O3層的禁帶寬度；所述第二半導體層的介電常數小于所述第一半導體層的介電常數；所述第一半導體層的材料為AlN；所述第二半導體層的介電常數≤3.9C2·N-1·M-2；在所述第二半導體層上施加正向電場，增大AlN/Ga2O3異質結界面的二維電子氣濃度。
6.根據權利要求5所述的異質結器件，其特征在于，所述第二半導體層的材料為二氧化硅、氟硅玻璃、聚四氯乙烯、聚酰亞胺或無定型碳氮薄膜。
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