[發明專利]具有指定區域存儲器訪問調度的存儲器系統

在審

• 申請號: 202110413266.9
• 申請日: 2013-05-16
• 公開（公告）號: CN113360428A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 徐懿;努萬·S·賈亞塞納;謝源
• 申請（專利權）人: 超威半導體公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張華

1.一種方法，其包括：

識別用于存儲器的第一和第二區域的指定區域存儲器時序參數，其中，用于所述第一區域的所述指定區域存儲器時序參數獨立于用于所述存儲器的所述第二區域的指定區域存儲器時序參數；以及

響應于接收至所述第一和第二區域內的目標地址的存儲器訪問請求，基于所述指定區域存儲器時序參數對所述存儲器訪問請求進行重新排序，使得所述存儲器訪問的序列反映所述指定區域存儲器時序參數。

2.根據權利要求1所述的方法，其還包括：

將表示所識別的指定區域存儲器時序參數存儲到時序數據存儲中。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述時序數據存儲包括在邏輯裸片上的第一高速緩存和在存儲器裸片上的第二高速緩存。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

響應于下列中的至少一種重新識別所述指定區域存儲器時序參數：上電復位；定時器流逝；感測的溫度變化；以及來自控制器的觸發。

5.根據權利要求1所述的方法，其中識別用于所述第一和第二區域的所述指定區域存儲器時序參數包括：

測量每個區域的多個子區域的每個子區域的多種類型的存儲器時序參數的存儲器時序參數的類型；并且

將與所述子區域的每種測量類型的存儲器時序參數相對應的最慢的測量的存儲器時序參數識別為每個區域的每種相應測量的類型的存儲器時序參數的存儲器時序參數。

6.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述存儲器包括動態隨機存取存儲器(DRAM)；并且

所述存儲器時序參數包括下列中的至少一個：行至列命令延遲(tRCD)；列命令和數據輸出之間的時間(tCL)；列命令之間的時間(tCCD)；預充電時間(tRP)；最小行打開時間(tRAS)；多組激活窗口(tFAW)；讀和寫之間的時間(tWTR)；以及寫恢復時間(tWR)。

7.一種集成電路(IC)器件，其包括：

耦合于存儲器的存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置為：

響應于接收至與所述第一區域和所述第二區域相關聯的目標地址的存儲器訪問請求，基于專用于所述第一區域的第一組一個或多個存儲器時序參數和專用于所述第二區域的第二組一個或多個存儲器時序參數，重新排序對所述存儲器的多個區域的第一區域和第二區域的存儲器訪問，其中所述存儲器控制器將對存儲器訪問進行重新排序，使得所述存儲器訪問的序列反映專用于所述第一區域和所述第二區域的所述存儲器時序參數；和

響應于重新排序的存儲器訪問，在第一區域和第二區域訪問數據。

8.根據權利要求7所述的IC器件，其還包括：

時序數據存儲，所述時序數據存儲保持表示所述第一組一個或多個存儲器時序參數的數據；

其中響應于相對于所述第一區域執行的存儲器訪問，所述存儲器控制器訪問表示專用于所述第一區域的所述第一組一個或多個存儲器時序參數的數據并基于所訪問的數據調度所述存儲器訪問。

9.根據權利要求8所述的IC器件，其中所述時序數據存儲包括在邏輯裸片上的第一高速緩存和在存儲器裸片上的第二高速緩存。

10.根據權利要求8所述的IC器件，還包括：

剖析邏輯，所述剖析邏輯用于：

識別專用于所述第一區域的所述第一組一個或多個存儲器時序參數；以及

識別專用于所述第二區域的所述第二組一個或多個存儲器時序參數。

11.根據權利要求10所述的IC器件，其還包括：

堆疊式裸片存儲器器件，其包括：

一組一個或多個堆疊式存儲器裸片，所述堆疊式存儲器裸片包括所述存儲器；以及

電耦合至所述堆疊式存儲器裸片的一組一個或多個邏輯裸片，所述組一個或多個邏輯裸片包括所述存儲器控制器和所述剖析邏輯。