[發(fā)明專利]具有氟和氯共摻雜芯區(qū)域的低損耗光纖

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110412005.5
• 申請(qǐng)日: 2016-04-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113009619A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·C·布克班德;M-J·李;P·坦登
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/02
• 分類號(hào): G02B6/02;G02B6/036;G02B6/028;C03B37/014
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 樂(lè)洪詠;項(xiàng)丹

1.一種光纖，其包括：

光纖，其具有1550nm波長(zhǎng)處小于約0.17dB/km的衰減，所述光纖包括：

所述光纖中的纖芯區(qū)域，其具有α大于0.5的分級(jí)折射率分布；以及

所述光纖中的第一包覆區(qū)域，其圍繞所述纖芯區(qū)域，

其中，所述纖芯區(qū)域包括用大于或等于約1.2重量％的氯和約0.1-1重量％的氟共摻雜的二氧化硅。

2.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，相比于純二氧化硅，纖芯區(qū)域的相對(duì)折射率Δ₁是約-0.20％至約+0.1％。

3.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述第一包覆區(qū)域包括：(a)圍繞所述纖芯區(qū)域并具有相對(duì)折射率Δ₂的內(nèi)包覆區(qū)域；以及(b)圍繞所述內(nèi)包覆區(qū)域并具有相對(duì)折射率Δ₃的凹陷包覆區(qū)域；所述纖芯區(qū)域具有相對(duì)折射率Δ₁，并且Δ₁≥Δ₂＞Δ₃。

4.如權(quán)利要求3所述的光纖，其特征在于，所述第一包覆區(qū)域還包括具有相對(duì)折射率Δ₄的外包覆區(qū)域，其中Δ₄＞Δ₃。

5.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的光纖，其特征在于，所述纖芯區(qū)域包括用氯和氟共摻雜的二氧化硅，氯大于或等于約2.5重量％。

6.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的光纖，其特征在于，所述纖芯區(qū)域包括用氟和氯共摻雜的二氧化硅，使得氟和氯的重量％之和除以氟的重量％是大于約1.5的因子。

7.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的光纖，其特征在于，所述光纖還具有在1310nm處的約為8.2-9.5μm的模場(chǎng)直徑(MFD)。

8.如權(quán)利要求7所述的光纖，其特征在于，所述光纖還具有在1550nm處在20mm直徑心軸上≤1.5dB/圈的宏彎損耗。

9.一種光纖，其包括：

光纖，其具有1550nm波長(zhǎng)處小于約0.17dB/km的衰減，所述光纖包括：

所述光纖中的纖芯區(qū)域，其具有α大于0.5的分級(jí)折射率分布；相比于純二氧化硅，所述纖芯區(qū)域還具有約-0.20％至約+0.1％的相對(duì)折射率Δ₁；以及

所述光纖中的第一包覆區(qū)域，其圍繞所述纖芯區(qū)域，

其中，所述纖芯區(qū)域包括用氟和氯共摻雜的二氧化硅，以及

其中，所述光纖還具有在1310nm處的約為8.2-9.5μm的模場(chǎng)直徑(MFD)。

10.如權(quán)利要求9所述的光纖，其特征在于，所述光纖還具有在1550nm處在20mm直徑心軸上≤1.5dB/圈的宏彎損耗。

11.如權(quán)利要求9所述的光纖，其特征在于，所述光纖還具有在1550nm處在15mm直徑心軸上≤5dB/圈的宏彎損耗。

12.如權(quán)利要求9所述的光纖，其特征在于，所述光纖還具有在1550nm處在30mm直徑心軸上≤0.025dB/圈的宏彎損耗。

13.一種光纖，其包括：

光纖，其具有1550nm波長(zhǎng)處小于約0.17dB/km的衰減，所述光纖包括：

所述光纖中的纖芯區(qū)域，其具有α大于0.5的分級(jí)折射率分布；相比于純二氧化硅，所述纖芯區(qū)域還具有約-0.20％至約+0.1％的相對(duì)折射率Δ₁；以及

所述光纖中的第一包覆區(qū)域，其圍繞所述纖芯區(qū)域，

其中，所述纖芯區(qū)域包括用氟和氯共摻雜的二氧化硅，以及

其中，所述光纖還具有在1550nm處的約為9.0-14μm的模場(chǎng)直徑(MFD)。