[發(fā)明專利]一種具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜,其制備方法以及太陽(yáng)能電池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110411955.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113130668A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄧楷模;李亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/0216 | 分類號(hào): | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 蘇張林 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 金字塔結(jié)構(gòu) 熒光 減反膜 制備 方法 以及 太陽(yáng)能電池 | ||
1.一種具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1.將水、異丙醇和氫氧化鈉混合,形成腐蝕液;將硅片浸泡于所述腐蝕液中進(jìn)行刻蝕,從而得到具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅模板;
S2.將PDMS溶液、固化劑和雙叔丁基苯甲噻吩混合均勻,涂敷于所述硅模板上;接著將其放入烘箱中烘烤,固化后,將PDMS薄膜剝離,即得到所述具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜的制備方法,其特征在于,步驟S1中,所述水、異丙醇和氫氧化鈉的質(zhì)量比為40-50:1-5:1-5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜的制備方法,其特征在于,步驟S1中,所述硅片進(jìn)行刻蝕的溫度為25-100℃,刻蝕時(shí)間為0-40分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜的制備方法,其特征在于,步驟S1中,刻蝕完成后,利用稀鹽酸和去離子水沖洗硅片,并吹干。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜的制備方法,其特征在于,步驟S2中,PDMS溶液和固化劑的質(zhì)量比為10:1,雙叔丁基苯甲噻吩的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.05wt%-2wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜的制備方法,其特征在于,步驟S2中,烘烤的溫度為50-150℃,烘烤時(shí)間為2-20分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法制備得到的具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜。
8.一種太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述太陽(yáng)能電池的玻璃表面上粘貼有權(quán)利要求7所述的具有倒金字塔結(jié)構(gòu)的熒光減反膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述太陽(yáng)能電池為硅太陽(yáng)能電池或鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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