[發明專利]控制電路及升壓電路

有效

• 申請號: 202110410894.1
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN112821762B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 王紅義;毛豪
• 申請（專利權）人: 深圳市拓爾微電子有限責任公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M1/088;H02M1/36
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.一種控制電路，其特征在于，所述控制電路用于控制與所述控制電路連接的升壓電路，所述升壓電路用于使輸出電壓高于所述升壓電路的輸入電壓；

所述控制電路包括：脈沖寬度調制子模塊、振蕩器和邏輯子模塊；

所述控制電路用于接收所述升壓電路反饋的第一反饋信號和第二反饋信號；

所述脈沖寬度調制子模塊用于根據所述第一反饋信號，調整所述脈沖寬度調制子模塊輸出的脈沖寬度調制波，所述振蕩器用于根據所述第二反饋信號，調整所述振蕩器輸出的時鐘信號，所述邏輯子模塊用于根據所述脈沖寬度調制波和所述時鐘信號，控制所述升壓電路中N溝道金屬-氧化物-半導體場效應晶體管NMOS的通斷狀態，所述NMOS與所述升壓電路中的電感連接，當所述NMOS導通時，所述電感充電；

在所述輸出電壓比所述輸入電壓高出預設電壓閾值時，所述邏輯子模塊用于根據所述時鐘信號，調整所述升壓電路中P溝道金屬-氧化物-半導體場效應晶體管PMOS的導通時間，所述PMOS的第一端與所述電感連接，當所述PMOS導通時，所述電感通過所述PMOS的第一端放電，所述PMOS的第二端的電位為所述升壓電路的所述輸出電壓；

所述振蕩器包括：降頻自恢復電路、電流源和充放電振蕩模塊；

所述電流源用于為所述降頻自恢復電路提供基準電流，所述降頻自恢復電路用于根據所述基準電流生成鏡像電流，并根據所述升壓電路反饋的所述第二反饋信號，調整所述鏡像電流的大小，并通過調整后的鏡像電流對所述充放電振蕩模塊進行充電；

所述降頻自恢復電路包括：分流模塊、分壓模塊和鏡像模塊，所述分壓模塊串聯連接在所述升壓電路的輸入端與地電位之間；

所述鏡像模塊用于根據所述基準電流生成所述鏡像電流，所述分流模塊用于根據所述分壓模塊輸出的電壓對所述鏡像電流進行分流，得到所述調整后的鏡像電流，并通過所述調整后的鏡像電流對所述充放電振蕩模塊進行充電。

2.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，在所述第二反饋信號由高電平信號切換為低電平信號時，所述時鐘信號由第一頻率降低至第二頻率；之后所述第二反饋信號持續為所述低電平信號，所述時鐘信號在預設時間內由所述第二頻率恢復至所述第一頻率。

3.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述控制電路包括：軟啟動子模塊，所述軟啟動子模塊用于輸出斜坡信號，所述斜坡信號的電壓隨時間上升；

所述分流模塊包括：第一分流PMOS、第二分流PMOS、分流控制NMOS和反相器，所述分壓模塊包括：第一分壓電阻和第二分壓電阻，所述鏡像模塊包括：第一鏡像PMOS；

所述第一鏡像PMOS的柵極和源極均與所述電流源連接，所述第一鏡像PMOS用于根據所述電流源提供的所述基準電流生成第一鏡像電流；

所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻串聯連接在所述升壓電路的輸入端和所述地電位之間；

所述第一分流PMOS的柵極連接在所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻之間，所述第一分流PMOS的漏極與所述充放電振蕩模塊連接，用于向所述充放電振蕩模塊輸入用于充電的所述第一鏡像電流；

所述第二分流PMOS的柵極與所述軟啟動子模塊的輸出端連接，所述第二分流PMOS的漏極與所述分流控制NMOS的漏極連接，所述第二分流PMOS的源極和所述第一分流PMOS的源極，均與所述第一鏡像PMOS的漏極連接；

所述分流控制NMOS的源極與所述地電位連接，所述分流控制NMOS的柵極與所述反相器的輸出端連接，所述反相器的輸入端與所述升壓電路連接，用于接收所述升壓電路反饋的所述第二反饋信號。

4.根據權利要求3所述的控制電路，其特征在于，所述鏡像模塊還包括：第二鏡像PMOS；

所述第二鏡像PMOS的柵極和源極均與所述電流源連接，所述第二鏡像PMOS用于根據所述電流源提供的所述基準電流生成第二鏡像電流；

所述第二鏡像PMOS的漏極與所述充放電振蕩模塊連接，用于向所述充放電振蕩模塊輸入用于充電的所述第二鏡像電流。