[發明專利]一種探測芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 202110410661.1 | 申請日： | 2021-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN113140652A | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發明（設計）人： | 蔣科;孫曉娟;黎大兵;賁建偉;陳洋;賈玉萍;張山麗 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/108 | 分類號： | H01L31/108;H01L31/18;G01D21/02 |
| 代理公司： | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 探測 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種探測芯片，其特征在于，包括：
寬禁帶半導體，其用于制備紫外探測器，該紫外探測器用于探測紫外輻射；
溫度傳感器，其被配置在所述寬禁帶半導體上，該溫度傳感器由溫度敏感材料制成，用于檢測所述寬禁帶半導體的溫度。
2.根據權利要求1所述的探測芯片，其特征在于，所述溫度敏感材料為氧化石墨烯。
3.根據權利要求2所述的探測芯片，其特征在于，所述寬禁帶半導體包括襯底材料和配置在該襯底材料上的寬禁帶半導體薄膜，所述寬禁帶半導體薄膜包括第一外延層和第二外延層。
4.根據權利要求3所述的探測芯片，其特征在于，所述第一外延層為氮化鋁外延層，所述第二外延層為氮化鎵鋁外延層。
5.一種探測芯片的制備方法，其特征在于，在由寬禁帶半導體制成的紫外探測器上配置由溫度敏感材料制成的溫度傳感器。
6.根據權利要求5所述的探測芯片的制備方法，其特征在于，該方法包括：
-在襯底材料上配置寬禁帶半導體薄膜；
-在所述寬禁帶半導體薄膜上配置還原氧化石墨烯層；
-將所述還原氧化石墨烯層配置為還原氧化石墨烯條帶；
-在所述還原氧化石墨烯條帶和寬禁帶半導體薄膜上分別配置電極；
-對獲得的芯片進行退火處理。
7.根據權利要求6所述的探測芯片的制備方法，其特征在于，通過MOCVD、MBE或HVPE在襯底上制備所述寬禁帶半導體薄膜的第一外延層以及在該第一外延層上制備第二外延層。
8.根據權利要求7所述的探測芯片的制備方法，其特征在于，通過旋涂、滴涂、轉移或CVD法將所述氧化石墨烯配置在所述寬禁帶半導體薄膜上。
9.根據權利要求8所述的探測芯片的制備方法，其特征在于，通過熱還原法或者化學還原法將所述氧化石墨烯還原為還原氧化石墨烯層。
10.根據權利要求9所述的探測芯片的制備方法，其特征在于，通過RIE、ICP或者等離子體刻蝕將所述還原氧化石墨烯層配置為還原氧化石墨烯條帶。
11.根據權利要求10所述的探測芯片的制備方法，其特征在于，制備所述還原氧化石墨烯條帶和寬禁帶半導體薄膜的電極的材料為Ti、V、Al、Ni、Pt、Au、ITO中的一種或多種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
