[發明專利]顯示裝置

在審

• 申請號: 202110410335.0
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113540171A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 金埈煥;金兌映;樸鍾宇;林基主;黃賢澈
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;劉錚

1.顯示裝置，包括：

第一半導體層，布置在襯底上并且包括第一溝道區、第一源極區和第一漏極區；

第一應變器，布置在所述襯底和所述第一半導體層之間，并且在平面圖中與所述第一源極區重疊；

第二應變器，布置在所述襯底和所述第一半導體層之間，并且在所述平面圖中與所述第一漏極區重疊，所述第二應變器與所述第一應變器間隔開；

柵極絕緣層，布置在所述第一半導體層上；以及

第一柵電極，布置在所述柵極絕緣層上并且在所述平面圖中與所述第一半導體層重疊。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括：緩沖層，布置在所述襯底和所述第一應變器之間，并且限定第一凹槽和第二凹槽，

其中，所述第一應變器的一部分被掩埋在所述第一凹槽中，以及

所述第二應變器的一部分被掩埋在所述第二凹槽中。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括：

緩沖層，布置在所述襯底和所述第一應變器之間，并且限定第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔二者暴露所述襯底的一部分，

其中，所述第一應變器的一部分被掩埋在所述第一通孔中，以及

所述第二應變器的一部分被掩埋在所述第二通孔中。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，在厚度方向上從所述襯底的底表面到所述第一溝道區的頂表面的距離小于從所述襯底的所述底表面到所述第一源極區的頂表面的距離。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一應變器中的材料的顆粒之間的距離和所述第二應變器中的材料的顆粒之間的距離各自大于所述第一半導體層中的材料的顆粒之間的距離。

6.顯示裝置，包括：

第一半導體層，布置在襯底上并且包括第一溝道區、第一源極區和第一漏極區；

第三應變器，布置在所述襯底和所述第一半導體層之間，并且在平面圖中與所述第一半導體層重疊；

第一柵極絕緣層，布置在所述第一半導體層上；以及

第一柵電極，布置在所述第一柵極絕緣層上，并且在所述平面圖中與所述第一半導體層重疊；

其中，所述第一半導體層中的材料的顆粒之間的距離不同于所述第三應變器中的材料的顆粒之間的距離。

7.根據權利要求6所述的顯示裝置，還包括：

第二半導體層，布置在所述襯底上，并包括第二溝道區、第二源極區和第二漏極區；

第二柵極絕緣層，布置在所述第一柵極絕緣層和所述第一柵電極上；以及

第二柵電極，布置在所述第二柵極絕緣層上并且在所述平面圖中與所述第二半導體層重疊，

其中，所述第一柵極絕緣層布置在所述第二半導體層上。

8.根據權利要求6所述的顯示裝置，還包括：

第二半導體層，布置在所述襯底上，并包括第二溝道區、第二源極區和第二漏極區；

第四應變器，布置在所述襯底和所述第二半導體層之間，并且在所述平面圖中與所述第二半導體層重疊，所述第四應變器與所述第三應變器間隔開；以及

第二柵電極，布置在所述第一柵極絕緣層上并且在所述平面圖中與所述第二半導體層重疊；

其中，所述第二半導體層中的材料的顆粒之間的距離不同于所述第四應變器中的材料的顆粒之間的距離。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，還包括：第五應變器，布置在所述第二半導體層上且在所述平面圖中與所述第二半導體層重疊，

其中，所述第五應變器與所述第三應變器和所述第四應變器間隔開，以及

其中，所述第四應變器和所述第五應變器具有不同類型的膜應力。

10.顯示裝置，包括：

第二半導體層，布置在襯底上并包括硅半導體材料；

第一柵極絕緣層，布置在所述第二半導體層上；

第二柵電極，布置在所述第一柵極絕緣層上并且在平面圖中與所述第二半導體層重疊；

絕緣層，布置在所述第二柵電極上；

第三半導體層，布置在所述絕緣層上并包括第三溝道區、第三源極區和第三漏極區，所述第三半導體層包括氧化物半導體材料；

第六應變器，布置在所述絕緣層和所述第三半導體層之間并且在所述平面圖中與所述第三半導體層重疊；

第二柵極絕緣層，布置在所述第三半導體層上；以及

第三柵電極，布置在所述第二柵極絕緣層上并且在所述平面圖中與所述第三半導體層重疊，

其中，所述第三半導體層中的材料的顆粒之間的距離不同于所述第六應變器中的材料的顆粒之間的距離。