[發明專利]光刻膠涂布方法

在審

• 申請號: 202110410016.X
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113204172A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 欒會倩;吳長明;姚振海
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種光刻膠涂布方法，涉及半導體制造領域。該光刻膠涂布方法包括在晶圓承載臺上放置晶圓；向所述晶圓表面噴涂光刻膠；驅動所述晶圓承載臺帶動所述晶圓轉動，轉速大于2000轉/分鐘，旋轉時間小于2秒；驅動所述晶圓承載臺帶動所述晶圓在預定時間內按預定轉速轉動；解決了目前當晶圓表面存在高臺階結構時，光刻膠旋涂后影響CD均勻性的問題；達到了提高涂布光刻膠的隨行性，令晶圓表面的光刻膠膜厚更加均勻，改善圖形CD均勻性的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種光刻膠涂布方法。

背景技術

光刻工藝是半導體制造領域中最關鍵的工藝之一。光刻工藝將預先設計的圖形轉移到襯底表面的光刻膠中，光刻工藝的主要步驟包括涂膠、曝光、顯影，其中，涂膠工藝的目的是在襯底表面形成均勻的光刻膠膜層。

光刻工藝中的CD(Critical dimension，關鍵尺寸)受光刻膠厚度的影響較大。對于部分光刻層次，由于前一層結構中存在高臺階，容易造成不同位置的光刻膠厚度差異較大，進而導致CD的均勻性較差。

發明內容

為了解決相關技術中的問題，本申請提供了一種光刻膠涂布方法。該技術方案如下：

第一方面，本申請實施例提供了一種光刻膠涂布方法，該方法包括：

在晶圓承載臺上放置晶圓；

向晶圓表面噴涂光刻膠；

驅動晶圓承載臺帶動晶圓轉動，轉速大于2000轉/分鐘，旋轉時間小于2秒；

驅動晶圓承載臺帶動晶圓在預定時間內按預定轉速轉動。

可選的，驅動晶圓承載臺帶動晶圓在預定時間內按預定轉速轉動，包括：

驅動晶圓承載臺帶動晶圓在預定時間內按預定轉速進行兩次轉動。

可選的，當晶圓的尺寸為12寸時，預定轉速為不大于2000轉/分鐘的轉速。

可選的，當晶圓的尺寸為8寸時，預定轉速為不大于3500轉/分鐘的轉速。

可選的，當晶圓的尺寸為6寸時，預定轉速為不大于4500轉/分鐘的轉速。

本申請技術方案，至少包括如下優點：

通過在晶圓承載臺上放置晶圓，向晶圓表面噴涂光刻膠，驅動晶圓承載臺帶動晶圓進行短時間地高速轉動，再驅動晶圓承載臺帶動晶圓在預定時間內按預定轉速轉動，完成晶圓表面光刻膠的涂布；解決了目前當晶圓表面存在高臺階結構時，光刻膠旋涂后影響CD均勻性的問題；達到了提高涂布光刻膠的隨行性，令晶圓表面的光刻膠膜厚更加均勻，改善圖形CD均勻性的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請實施例提供的光刻膠涂布方法的流程圖；

圖2是本申請實施例提供的一種晶圓涂布光刻膠后的局部示意圖。

具體實施方式

下面將結合附圖，對本申請中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在不做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本申請保護的范圍。