[發明專利]光刻工藝中的涂膠方法

有效

• 申請號: 202110409897.3
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113171936B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 劉沖;吳長明;姚振海;陳駱;王緒根;朱聯合
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: B05C5/02
• 分類號: B05C5/02;B05C11/10;B05C13/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種光刻工藝中的涂膠方法，其特征在于，包含如下的步驟：

步驟一，提供一晶圓，將所述晶圓放置于載臺上并固定，載臺旋轉帶動所述晶圓進行第一速度區間的旋轉，同時滴膠噴嘴在晶圓的圓心處從晶圓上方向下進行滴膠；第一速度區間為400～600rpm；

步驟二，滴膠達到設計量之后，然后將載臺旋轉速度調整至第二速度區間，同時繼續向晶圓表面滴涂光刻膠；所述第二速度區間大于第一速度區間，所述第二速度區間為1300～1700rpm，光刻膠在此轉速下在離心力作用下逐漸散開均勻覆蓋于晶圓表面；

步驟三，將所述滴膠噴嘴從晶圓圓心處向外偏移，同時將晶圓轉速調整至第三速度區間，繼續滴膠，此時滴膠位置偏離晶圓圓心；所述第三速度區間小于第一、第二速度區間；

步驟四，滴膠結束，將晶圓轉速調整至第四速度區間，使光刻膠膠膜干燥；所述第四速度區間均小于第一、第二、第三速度區間。

2.如權利要求1所述的光刻工藝中的涂膠方法，其特征在于：所述的晶圓為硅晶圓、鍺硅晶圓、砷化鎵晶圓。

3.如權利要求1所述的光刻工藝中的涂膠方法，其特征在于：所述步驟三中將滴膠噴嘴從晶圓圓心處向外側偏移5～10mm的距離，使滴膠的位置偏離晶圓圓心。

4.如權利要求1所述的光刻工藝中的涂膠方法，其特征在于：所述第三速度區間為100～300rpm。

5.如權利要求1所述的光刻工藝中的涂膠方法，其特征在于：所述的第四速度區間為10～20rpm。

6.如權利要求1～5任一項所述的光刻工藝中的涂膠方法，其特征在于：所述的光刻膠為低粘度光刻膠，其粘度值小于2CP。