[發明專利]一種ZnO納米線敏感材料制備方法及其應用有效
| 申請號: | 202110409227.1 | 申請日: | 2021-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN113308680B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 孟丹;謝書澳;李訓;李旭蕃;鄔胡倩;潘禹伯 | 申請(專利權)人: | 沈陽化工大學 |
| 主分類號: | C23C16/40 | 分類號: | C23C16/40;B82Y40/00;G01N27/12 |
| 代理公司: | 沈陽技聯專利代理有限公司 21205 | 代理人: | 張志剛 |
| 地址: | 110142 遼寧*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 zno 納米 敏感 材料 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種ZnO納米線敏感材料制備方法,其特征在于,所述方法包括以下制備過程:
(1)采用硅基板作為襯底,依次放入丙酮、乙醇、去離子水中超聲清洗后吹干;
(2)稱量適量的Zn粉,利用研磨鍋充分研磨后置于氧化鋁瓷舟中的中心區域;
(3)將清洗后的硅基板放于氧化鋁瓷舟上面,在距離Zn源正上方的位置,然后將瓷舟放入管式反應爐高溫區域;
(4)通入氮氣作為載氣,氮氣的流量為150mL/min;10分鐘后,以10℃/min的升溫速率將爐管溫度升至相應的反應溫度,并保持這個溫度1小時;隨后自然冷卻到室溫;所述相應的反應溫度為900℃;
(5)取出硅基板,即得到ZnO納米線,將其保存在干燥器中以待進行分析檢測;所述的Zn粉為高純Zn;制得的ZnO納米線陣列直徑為50-200nm,納米線長度超過10μm。
2.根據權利要求1所述的一種ZnO納米線敏感材料制備方法的應用,其特征在于,所述ZnO納米線敏感材料應用于H2S氣體傳感器中,制備H2S氣體傳感器步驟如下:
(1)取ZnO納米線置于離心管中,然后向離心管中滴入乙醇混合,并超聲分散10分鐘;
(2)通過移液器將含有ZnO納米線的懸濁液滴涂在鍍Pt電極的硅基板上,置于紅外燈下烘烤30分鐘進行固膜;
(3)將固膜后的元件置于測試臺上,用導電銀漿連接Pt導線,在實驗室自制的動態氣敏測試平臺測試傳感器的氣體敏感特性。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





