[發明專利]顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 202110408884.4 | 申請日: | 2021-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN113193140B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 孫佳佳 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本發明公開了一種顯示面板及其制作方法,其包括平面顯示區以及與平面顯示區相鄰的至少一曲面顯示區;顯示面板還包括發光功能層;發光功能層包括陽極層,陽極層包括位于曲面顯示區內且間隔設置的主陽極子層和次陽極子層,其中,顯示面板位于平面顯示區內的部分面向第一方向,主陽極子層面向第二方向,次陽極子層面向第三方向,第三方向與第一方向的夾角小于第二方向與第一方向的夾角。本發明通過設置次陽極子層可以補償曲面顯示區因彎曲而在大視角下損失的光線,可以有效地減小曲面顯示區和平面顯示區的顯示不均及色偏現象,提高了顯示面板的顯示效果。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法。
背景技術
有機發光二極管顯示器(OLED,Organic Light-Emitting Diode)因其具有柔性可彎曲、發光效率高、反應速度快等優勢而得到廣泛應用,目前,為提高OLED顯示面板的屏占比,通常將OLED顯示面板設計成諸如包括平面區和與平面區呈一定弧度的曲面區的曲面屏結構,然而,由于OLED顯示面板的發光特性,不同視角下像素顯示的亮度會出現較大差異,從而導致曲面屏結構的平面區和曲面區出現較大的亮度差異,甚至出現色偏的問題,影響用戶的使用體驗。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示面板及其制作方法,以解決曲面屏結構中平面區和曲面區出現亮度差異的技術問題。
本發明實施例提供一種顯示面板,其包括平面顯示區以及與所述平面顯示區相鄰的至少一曲面顯示區,所述顯示面板位于所述平面顯示區內的部分面向第一方向;
所述顯示面板包括:襯底,設置于所述襯底上的薄膜晶體管層,設置于所述薄膜晶體管層上的發光功能層;
其中,所述發光功能層包括設置于所述薄膜晶體管層上的陽極層,所述陽極層包括位于所述曲面顯示區內且間隔設置的主陽極子層和次陽極子層,所述主陽極子層面向第二方向,所述次陽極子層面向第三方向,所述第三方向與所述第一方向的夾角小于所述第二方向與所述第一方向的夾角。
在本發明的一種實施例中,所述顯示面板還包括設置于所述薄膜晶體管層上的像素定義層,所述像素定義層包括位于所述曲面顯示區內的多個像素開口,所述像素開口包括開口底部以及與所述開口底部形成一預設傾角的開口側壁,所述主陽極子層設置于所述開口底部,所述次陽極子層設置于所述像素開口遠離所述平面顯示區一側的所述開口側壁上。
在本發明的一種實施例中,所述薄膜晶體管層包括設置于所述襯底上方的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、以及覆蓋所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的第一絕緣層,所述第一薄膜晶體管與所述主陽極子層連接,所述第二薄膜晶體管與所述次陽極子層連接。
在本發明的一種實施例中,所述像素定義層設置于所述第一絕緣層上,所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極,所述第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極和第二漏極,所述第一漏極與所述主陽極子層連接,所述第二漏極與所述次陽極子層連接;
所述第一漏極上方設有穿過所述第一絕緣層的第一過孔,所述第二漏極上方設有穿過所述第一絕緣層和所述像素定義層的第二過孔,所述主陽極子層穿過所述第一過孔與所述第一漏極連接,所述像素定義層上設有連接段,所述連接段一端與所述次陽極子層連接,所述連接段另一端穿過所述第二過孔與所述第二漏極連接。
在本發明的一種實施例中,所述連接段的材料與所述次陽極子層的材料相同,且所述連接段與所述次陽極子層為一體成型結構。
在本發明的一種實施例中,所述連接段和所述像素定義層上設有覆蓋所述連接段的第二絕緣層,所述發光功能層包括設置于所述主陽極子層和所述次陽極子層上的有機發光層,以及設置于所述像素定義層、所述有機發光層和所述第二絕緣層上且覆蓋所述有機發光層和所述第二絕緣層的陰極層。
在本發明的一種實施例中,所述顯示面板包括位于各所述像素開口之間的非有效顯示區,所述第二薄膜晶體管設置于所述非有效顯示區內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





