[發(fā)明專利]一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110408330.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113122799B | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李慶;孫雪振;邱羽;文哲希 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/35 |
| 代理公司: | 西安眾和至成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61249 | 代理人: | 張震國 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 結(jié)構(gòu) 復(fù)合 濕潤 強(qiáng)化 沸騰 傳熱 表面 制備 方法 | ||
1.一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法,其特征在于,包括:首先加工微陣列結(jié)構(gòu)(3)、固定件(2)和掩板(1),所述微陣列結(jié)構(gòu)(3)包括陣列基體(5)以及設(shè)置在所述陣列基體(5)上端的多個(gè)微柱(4),多個(gè)所述微柱(4)呈等間距陣列分布,所述固定件(2)內(nèi)設(shè)置有上下開口的安裝腔,所述安裝腔的形狀與所述陣列基體(5)的外形相契合,所述掩板(1)設(shè)置有多個(gè)貫穿的孔(7),多個(gè)所述孔(7)呈等間距陣列分布且與多個(gè)所述微柱(4)一一對(duì)應(yīng)設(shè)置,所述孔(7)的尺寸小于所述微柱(4)的頂面尺寸;然后將所述陣列基體(5)固定安裝于所述固定件(2)的安裝腔內(nèi),將所述掩板(1)蓋設(shè)于所述固定件(2)的上端,并使所述孔(7)與所述微柱(4)的頂面一一相對(duì);最后在所述掩板(1)上進(jìn)行鍍膜處理,在所述微柱(4)的頂面與所述孔(7)相對(duì)的區(qū)域鍍膜修飾為疏水區(qū)域,所述微柱(4)的頂面偏移所述孔(7)的區(qū)域?yàn)橛H水區(qū)域;
所述固定件(2)的高度等于所述微陣列結(jié)構(gòu)(3)和所述掩板(1)的總高度,所述陣列基體(5)安裝于所述固定件(2)的安裝腔內(nèi)時(shí),所述固定件(2)的下端面與所述陣列基體(5)的下端面處于同一水平面;所述固定件(2)的上端靠近所述安裝腔的邊緣設(shè)置有槽道(6),所述槽道(6)的形狀與所述掩板(1)的外形相契合,所述掩板(1)能夠嵌設(shè)安裝于所述槽道(6)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法,其特征在于,所述槽道(6)的深度等于所述掩板(1)的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法,其特征在于,所述掩板(1)的厚度為300μm~500μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法,其特征在于,所述槽道(6)具有延伸至所述固定件(2)的上端外側(cè)邊沿的開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法,其特征在于,所述固定件(2)的安裝腔和所述陣列基體(5)均為方形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法,其特征在于,所述固定件(2)的安裝腔的內(nèi)壁周邊加工有內(nèi)倒角,所述陣列基體(5)的周邊加工有外倒角,所述外倒角與所述內(nèi)倒角相契合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法,其特征在于,所述鍍膜處理采用磁控濺射,且在真空環(huán)境中進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種微陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合濕潤性強(qiáng)化沸騰傳熱表面的制備方法,其特征在于,所述磁控濺射的濺射物質(zhì)為聚四氟乙烯。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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