[發(fā)明專利]一種界面接觸的反式鈣鈦礦太陽電池組件及制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110406755.1
• 申請日: 2021-04-15
• 公開（公告）號: CN113299833B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王有生;麥耀華
• 申請（專利權(quán)）人: 麥耀華;廣州暨南大學科技園管理有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 饒周全

1.一種界面接觸的反式鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

制備界面接觸層：依次在FTO/Cu:NiO_x薄膜上旋涂PTAA和Al₂O₃溶液，每一層進行熱處理，得到FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃薄膜；

制備三維鈣鈦礦復合層：將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液旋涂在FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃薄膜上，并在旋涂過程中利用乙酸乙酯進行反溶劑處理，最后加熱進行鈣鈦礦薄膜結(jié)晶，得到FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃薄膜；

制備界面接觸層：旋涂PEAI溶液在已制備好的FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃，固化后得到FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃/PEA₂PbI₄；再依次旋涂PCBM溶液和BCP溶液，固化后得到FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃/PEA₂PbI₄/PCBM/BCP薄膜，然后使用原子層沉積法沉積致密的氧化錫薄膜，以及熱蒸發(fā)沉積頂部銀導電電極，得到界面接觸的反式鈣鈦礦太陽電池組件FTO/Cu:NiO_x/PTAA/mp-Al₂O₃/K_0.01-Cs_0.04FA_0.83MA_0.12Pb(I_0.88Br_0.12)₃/PEA₂PbI₄/PCBM/BCP/ALD-SnO₂/Ag；

所述鈣鈦礦前驅(qū)體溶液為四元陽離子鈣鈦礦溶液，通過以下方法制備：將MAPbBr₃溶液，CsI溶液和KI溶液加熱直至全部溶解，混合后即得到鈣鈦礦前驅(qū)體；

所述鈣鈦礦前驅(qū)體溶液的濃度為40-45wt％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述PTAA溶液的濃度為0.2mg/mL～0.5mg/mL；所述Al₂O₃溶液的濃度為0.2wt％～0.6wt％；

所述PTAA溶液旋涂的轉(zhuǎn)速為5500～6500rpm，旋涂的時間25～35s；所述Al₂O₃溶液旋涂的轉(zhuǎn)速為3000～4000rpm，旋涂的時間為25～35s；

所述熱處理為退火處理，退火溫度為100～140℃，退火時間為10～15分鐘。