[發(fā)明專利]一種陣列基板、雙面顯示裝置以及制作方法

在審

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• 申請日: 2021-04-15
• 公開（公告）號: CN113097286A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許睿
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/15;H01L27/12
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張帆

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

透明襯底；

設(shè)置在所述透明襯底上的陣列分布的多個像素重復單元，至少一個所述像素重復單元包括第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元，其中

所述第一發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述透明襯底上的第一驅(qū)動電路、由所述第一驅(qū)動電路驅(qū)動的發(fā)光器件層、以及覆蓋所述發(fā)光器件層的封裝層；

所述第二發(fā)光單元包括驅(qū)動電極和設(shè)置在所述驅(qū)動電極上的已封裝的LED芯片；

所述第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元中的一個向朝向所述透明襯底的方向出光，所述第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元中的另一個向背離所述透明襯底的方向出光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一發(fā)光單元為底發(fā)射有機發(fā)光器件，所述發(fā)光器件層包括依次層疊設(shè)置在所述第一驅(qū)動電路上的陽極、發(fā)光功能層和陰極，其中所述陽極為透明陽極，所述陰極為反射陰極；

或者

所述第一發(fā)光單元為頂發(fā)射有機發(fā)光器件，所述發(fā)光器件層包括依次層疊設(shè)置在所述第一驅(qū)動電路上的陽極、發(fā)光功能層和陰極，其中所述陽極為反射陽極，所述陰極為透明陰極，所述第二發(fā)光單元還包括設(shè)置在所述LED芯片上的反射層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述LED芯片為被動式LED芯片，所述驅(qū)動電極與所述發(fā)光器件層的陰極同層設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二發(fā)光單元還包括設(shè)置在所述透明襯底上的第二驅(qū)動電路，所述第二驅(qū)動電路與所述驅(qū)動電極電連接以驅(qū)動所述LED芯片，所述LED芯片為主動式LED芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一驅(qū)動電路包括第一驅(qū)動薄膜晶體管，包括第一有源層、第一柵極、第一源極和第一漏極；

所述第二驅(qū)動電路包括第二驅(qū)動薄膜晶體管，包括第二有源層、第二柵極、第二源極和第二漏極；

所述第一有源層和第二有源層同層設(shè)置，所述第一柵極和第二柵極同層設(shè)施，所述第一源極和第一漏極與所述第二源極和第二漏極同層設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述像素重復單元還包括界定第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元的像素界定層，所述像素界定層為黑色；

和/或

所述像素重復單元還包括界定第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元的像素界定層、以及設(shè)置在所述第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元之間的像素界定層上的倒梯形隔離柱。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述LED芯片為MiniLED芯片或MicroLED芯片；

和/或

所述像素重復單元包括兩個第一發(fā)光單元或者兩個第二發(fā)光單元。

8.一種制作如權(quán)利要求1-7中任一項所述陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明襯底上形成陣列分布的多個像素重復單元，至少一個所述像素重復單元包括第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元，其中所述第一發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置在所述透明襯底上的第一驅(qū)動電路、由所述第一驅(qū)動電路驅(qū)動的發(fā)光器件層、以及覆蓋所述發(fā)光器件層的封裝層，所述第二發(fā)光單元包括驅(qū)動電極和設(shè)置在所述驅(qū)動電極上的已封裝的LED芯片。