[發明專利]反熔絲修調電路及其修調方法

有效

• 申請號: 202110405611.4
• 申請日: 2021-04-15
• 公開（公告）號: CN113078898B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 毛曉峰;黃朝剛;李劍
• 申請（專利權）人: 泉芯電子技術（深圳）有限公司
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 滿群

1.一種反熔絲修調電路，其特征在于，所述反熔絲修調電路包括恒流源電路、檢測電路、反熔絲、隔離限流電路、電源電壓VDD，所述恒流源電路以電源端為起點順序連接所述檢測電路、所述隔離限流電路和所述反熔絲；

所述恒流源電路包括偏置電壓V_B、PMOS場效應管PM₁、PM₁的寄生體二極管PD，所述偏置電壓V_B給所述PMOS場效應管PM₁提供合適的偏置，恒流源電流Ic為100nA；所述電源端與所述PMOS場效應管PM₁的源極連接，所述偏置電壓V_B與所述PMOS場效應管PM₁的柵極連接；

所述檢測電路由PMOS場效應管PM₃、NMOS場效應管NM₁與NMOS場效應管NM₂組成；所述NMOS場效應管NM₁的寬長比為0.5/10，以提高閾值電壓V_TH和減小所述檢測電路的工作電流；所述電源端與所述PMOS場效應管PM₃的源極連接，所述PMOS場效應管PM₃的柵極與所述NMOS場效應管NM₁的柵極及所述PMOS場效應管PM₁的漏極相互連接，所述PMOS場效應管PM₃的漏極與所述NMOS場效應管NM₁的漏極連接且輸出修調邏輯信號T_Si，所述NMOS場效應管NM₁的源極分別連接所述NMOS場效應管NM₂的漏極和柵極，所述NMOS場效應管NM₂的源極接地；

所述隔離限流電路由串聯的P型通用二極管D₁與P型通用二極管D₂構成，所述P型通用二極管D₁和P型通用二極管D₂位于不同N阱中，所述P型通用二極管D₁的陰極與修調輸入引腳T_i連接_，所述P型通用二極管D₂的陽極與所述PMOS場效應管PM₁的漏極連接；或者，所述隔離限流電路僅由P型通用二極管D₁構成，所述P型通用二極管D₁的陰極與修調輸入引腳T_i連接_，所述P型通用二極管D₁的陽極與所述PMOS場效應管PM₁的漏極連接；

所述反熔絲由PMOS場效應管PM₂構成，所述PMOS場效應管PM₂的源極與柵極均連接在修調輸入引腳T_i，所述PMOS場效應管PM₂的漏極接地；

當所述檢測電路檢測到狀態電壓V_S大于某個閾值電壓V_TH(V_TH≥1.5V)時，所述檢測電路輸出的修調邏輯信號T_Si為低電平；當所述檢測電路檢測到狀態電壓V_S小于閾值電壓V_TH時，所述檢測電路輸出的修調邏輯信號T_Si為高電平。

2.根據權利要求1所述反熔絲修調電路，其特征在于，所述P型通用二極管由依次形成包容關系的P型襯底、N阱、N型重摻雜區、P型重摻雜區構成；所述PMOS場效應管由依次形成包容關系的P型襯底、N阱、N型重摻雜區、P型重摻雜區、多晶硅柵構成；當PMOS場效應管作為反熔絲，所述多晶硅柵接高電壓時，反熔絲PM₂的柵極連接修調輸入引腳T_i，PM₂的柵極為高電壓，其柵極不起作用，故作為反熔絲的PMOS場效應管PM₂具有和P型通用二極管完全相同的工藝層次和結構，二者的耐壓即N型重摻雜區和P型重摻雜區之間的PN結反向擊穿電壓是相同的。