[發(fā)明專利]三維多孔納米花狀NiS2 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110405453.2 | 申請日: | 2021-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN113223869B | 公開(公告)日: | 2023-03-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 付民;陳偉;朱紫桐;劉青云 | 申請(專利權(quán))人: | 山東科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01G11/86 | 分類號: | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32 |
| 代理公司: | 濟南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人: | 王志坤 |
| 地址: | 266590 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 多孔 納米 nis base sub | ||
本發(fā)明屬于無機納米材料合成技術(shù)及儲能材料領(lǐng)域,具體涉及三維多孔納米花狀NiS2/碳布復(fù)合材料的制備及應(yīng)用。通過在實驗體系中加入尿素和含氨溶液,既能降低三維花狀Ni(OH)2反應(yīng)溫度,還能提高三維花狀Ni(OH)2純度,為了進(jìn)一步提升三維花狀Ni(OH)2的電化學(xué)性能,本發(fā)明還通過刻蝕方法在三維花狀Ni(OH)2片層結(jié)構(gòu)上造孔制備三維多孔納米花狀NiS2材料,既能提高電化學(xué)性能,又能避免單純引入官能團(tuán)造成的團(tuán)聚、電化學(xué)循環(huán)能力差,引入第二相導(dǎo)致結(jié)合不緊密,分布不均勻的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于無機納米材料合成技術(shù)及儲能材料領(lǐng)域,具體涉及三維多孔納米花狀NiS2/碳布復(fù)合材料的制備及應(yīng)用。
背景技術(shù)
公開該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對本發(fā)明的總體背景的理解,而不必然被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已經(jīng)成為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
納米材料及其技術(shù)是目前科學(xué)研究的熱點之一,被認(rèn)為是世紀(jì)的又一次產(chǎn)業(yè)革命。隨著不同領(lǐng)域?qū){米應(yīng)用的進(jìn)一步需求,當(dāng)前,在納米材料制備技術(shù)研究中的一個重要趨勢就是加強控制工程的研究,這包括顆粒尺寸、表面形狀和微結(jié)構(gòu)的控制。因此采用合適的方法合成形貌和結(jié)構(gòu)可控的高純納米材料是研究先進(jìn)材料和高性能材料的重要研究方向。
過渡金屬氧化物因其儲能過程具有豐富的氧化還原活性,在儲能材料方面具有廣泛的研究。Ni(OH)2作為一種典型的過渡金屬氧化物,由于其成本低廉、易于合成、穩(wěn)定性較好和電化學(xué)活性高等優(yōu)點在制作電池、電容器以及電化學(xué)催化等方面均具有很好的應(yīng)用。然而,與其他贗電容性材料一樣,這種極具應(yīng)用前景的電極材料也存在著固有導(dǎo)電性低和循環(huán)過程中體積膨脹嚴(yán)重等問題。
發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn),一些現(xiàn)有技術(shù)將Ni(OH)2制備成三維花狀,但是反應(yīng)溫度高,時間長,或者Ni(OH)2晶型不規(guī)整,純度低。而且三維花狀結(jié)構(gòu)對電化學(xué)性能的改善效果有限,如果想要進(jìn)一步提升其性能,還需要負(fù)載功能基團(tuán)或功能結(jié)構(gòu),制備過程復(fù)雜,制備成電極元件電化學(xué)穩(wěn)定性差。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的三維花狀Ni(OH)2反應(yīng)溫度高,時間長,純度低以及對電化學(xué)性能改進(jìn)效果受限的問題,本發(fā)明提出三維多孔納米花狀NiS2/碳布復(fù)合材料的制備及應(yīng)用,通過在實驗體系中加入尿素和含氨溶液,既能降低三維花狀Ni(OH)2反應(yīng)溫度,還能提高三維花狀Ni(OH)2純度,為了進(jìn)一步提升三維花狀Ni(OH)2的電化學(xué)性能,本發(fā)明還通過刻蝕方法在三維花狀Ni(OH)2片層結(jié)構(gòu)上造孔制備三維多孔納米花狀NiS2材料,既能提高電化學(xué)性能,又能避免單純引入官能團(tuán)造成的團(tuán)聚、電化學(xué)循環(huán)能力差,引入第二相導(dǎo)致結(jié)合不緊密,分布不均勻的問題。
具體地,本發(fā)明是通過如下所述的技術(shù)方案實現(xiàn)的:
本發(fā)明第一方面,提供一種三維花狀Ni(OH)2材料的制備方法,包括:將鎳鹽、堿性試劑、酸性試劑溶于溶劑,混合后進(jìn)行水熱反應(yīng),即得。
本發(fā)明第二方面,提供一種三維花狀Ni(OH)2材料的制備方法制備得到的三維花狀Ni(OH)2材料。
本發(fā)明第三方面,提供一種三維花狀Ni(OH)2/碳布復(fù)合材料,三維花狀 Ni(OH)2材料位于碳布表面。
本發(fā)明第四方面,提供一種三維花狀Ni(OH)2/碳布復(fù)合材料的制備方法,包括:將碳布放入含有鎳鹽、堿性試劑、酸性試劑的溶液中,混合后進(jìn)行水熱反應(yīng),即得。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東科技大學(xué),未經(jīng)山東科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110405453.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種三維彩色物品制作方法
- 三維內(nèi)容顯示的方法、裝置和系統(tǒng)
- 三維對象搜索方法、裝置及系統(tǒng)
- 三維會話數(shù)據(jù)展示方法、裝置、存儲介質(zhì)和計算機設(shè)備
- 一種三維模型處理方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)
- 用于基于分布式賬本技術(shù)的三維打印的去中心化供應(yīng)鏈
- 標(biāo)記數(shù)據(jù)的獲取方法及裝置、訓(xùn)練方法及裝置、醫(yī)療設(shè)備
- 一種基于5G網(wǎng)絡(luò)的光場三維浸入式體驗信息傳輸方法及系統(tǒng)
- 用于機器人生產(chǎn)系統(tǒng)仿真的三維場景管理與文件存儲方法
- 基于三維形狀知識圖譜的三維模型檢索方法及裝置





