[發(fā)明專利]用于單晶PERC制絨的工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110405344.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113130300A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張龍飛;彭彪;顧峰;胡勁松;談鵬遠(yuǎn);呂武 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 通威太陽能(安徽)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L31/18;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 昆明合眾智信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 53113 | 代理人: | 孫悅 |
| 地址: | 230088 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 perc 工藝 | ||
1.一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于,包括以下步驟:
前清洗:將單晶制絨清洗機(jī)的入料傳送帶上放入待制絨及清洗的單晶硅電池板,通過傳送帶輸送至前清洗槽,在前清洗槽內(nèi)對(duì)單晶硅電池板進(jìn)行初步清洗,前清洗槽內(nèi)添加物質(zhì)為熱水、超純水、NAOH和H2O2;
一次水洗:將完成前清洗工序的單晶硅電池板進(jìn)行熱水清洗;
制絨:清洗完成的單晶硅電池板送入制絨槽內(nèi)進(jìn)行制絨,制絨槽內(nèi)添加物質(zhì)為超純水、NAOH和制絨添加劑;
二次水洗:將經(jīng)制絨槽送出的單晶硅電池板進(jìn)行熱水浸泡清洗;
堿洗:將經(jīng)熱水浸泡的單晶硅電池板送入堿洗槽內(nèi)進(jìn)行堿洗,堿洗槽內(nèi)添加物質(zhì)為熱水、超純水、NAOH和H2O2;
三次水洗:將經(jīng)堿洗送出的單晶硅電池板進(jìn)行熱水浸泡清洗;
酸洗:對(duì)經(jīng)過三次水洗工序的單晶硅電池板進(jìn)行堿洗浸泡,堿洗槽內(nèi)的添加物質(zhì)為超純水、HF和HCL;
慢提拉:將酸洗過后的單晶硅電池板在充滿熱水的慢提拉槽內(nèi)浸泡并通過慢提拉支架緩慢提拉脫水;
烘干燥:將提拉出水的單晶硅電池板送入烘干室內(nèi)進(jìn)行烘干燥處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于:所述制絨工序中的制絨槽數(shù)量不少于2個(gè),所述制絨槽內(nèi)初步組分配比為:超純水:NAOH:制絨添加劑=6500-7000:8-10:4-6,所述制絨槽內(nèi)自補(bǔ)組分配比為:超純水:NAOH:制絨添加劑=180-200:8-10:2-5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于:所述前清洗槽內(nèi)初步組分配比為:熱水:超純水:NAOH:H2O2=50-70:15-25:1:30-40,所述前清洗槽內(nèi)自補(bǔ)組分配比為:熱水:超純水:NAOH:H2O2=15-25:40-50:1-1.5:6-10。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于:所述堿洗槽中初步組分配比為:熱水、超純水、NAOH和H2O2=450-500:180-200:4-6:28-30,所述堿洗槽中自補(bǔ)組分配比為:超純水、NAOH和H2O2=20-25:1:12-15。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于:所述酸洗槽中初步組分配比為:超純水:HF:HCL=60-65:2-4:4-6,所述酸洗槽中自補(bǔ)組分配比為:超純水:HF:HCL=10-15:1-3:2-4。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于:所述前清洗槽中熱水、超純水、NAOH和H2O2的初配量分別為240000ml、80000ml、4000ml和14000ml,所述前清洗槽中熱水、超純水、NAOH和H2O2的自補(bǔ)量分別為2000ml、4500ml、100ml和800ml。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于:所述堿洗槽中熱水、超純水、NAOH和H2O2的初配量分別為240000ml、100000ml、2500ml和14000ml,所述堿洗槽中超純水、NAOH和H2O2的自補(bǔ)量分別為1200ml、50ml和600ml。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于:所述酸洗槽中超純水、HF和HCL的初配量分別為250000ml、12000ml、20000ml,所述酸洗槽中超純水、HF和HCL的自補(bǔ)量分別為1200ml、200ml和300ml。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于單晶PERC制絨的工藝,其特征在于:所述制絨槽中超純水、NAOH和制絨添加劑的初配量分別為340000ml、4500ml和2000ml,所述制絨槽中超純水、NAOH和制絨添加劑的自補(bǔ)量分別為9500ml、450ml和150ml。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





