[發明專利]提高介電薄膜電容器儲能密度的方法和介電薄膜電容器有效
| 申請號： | 202110405278.7 | 申請日： | 2021-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN113314342B | 公開（公告）日： | 2022-08-05 |
| 發明（設計）人： | 陳德楊;羅永健;王長安;周生強 | 申請（專利權）人： | 華南師范大學 |
| 主分類號： | H01G4/33 | 分類號： | H01G4/33;H01G4/10 |
| 代理公司： | 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425 | 代理人： | 吳靜芝 |
| 地址： | 510006 廣東省廣州市番禺區外*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 薄膜 電容器 密度 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高介電薄膜電容器儲能密度的方法，其特征在于：
包括以下步驟：
S1：制備底電極；
S2：在底電極上沉積PbZrO3薄膜；
S3：向PbZrO3注入氦離子；注入的氦離子劑量范圍為5×1014～5×1015ions/cm2；氦離子的注入能量為11-22keV；氦離子的入射方向與PbZrO3晶體的主晶軸方向形成偏轉角，偏轉角為7°-10°；
S4：制備頂電極，所述PbZrO3薄膜位于所述頂電極和底電極之間。
2.根據權利要求1所述的提高介電薄膜電容器儲能密度的方法，其特征在于：
PbZrO3薄膜的厚度為50-100nm。
3.根據權利要求1所述的提高介電薄膜電容器儲能密度的方法，其特征在于：
底電極為鈣鈦礦型的導電氧化物。
4.根據權利要求1所述的提高介電薄膜電容器儲能密度的方法，其特征在于：
S1中，在基片上沉積底電極，所述基片為鈣鈦礦型材料。
5.根據權利要求1-4任一項所述的提高介電薄膜電容器儲能密度的方法，其特征在于：
S2中使用脈沖激光沉積在底電極上沉積PbZrO3薄膜。
6.一種采用權利要求1-5任一項所述的提高介電薄膜電容器儲能密度的方法制備得到的介電薄膜電容器，其特征在于：
包括頂電極、底電極和PbZrO3薄膜，所述PbZrO3薄膜位于所述頂電極和底電極之間；
所述PbZrO3薄膜包括PbZrO3晶體和氦離子，氦離子位于PbZrO3晶體內部。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華南師范大學，未經華南師范大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110405278.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
