[發明專利]晶片的加工方法在審
| 申請號: | 202110404974.6 | 申請日: | 2021-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN113539788A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 中村勝 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一種晶片的加工方法,該晶片在正面上形成有多個器件被多條分割預定線劃分的器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域,其中,
該晶片的加工方法包含如下的工序:
改質層形成工序,從晶片的背面按照將對于晶片具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于晶片的與該外周剩余區域對應的內部的方式對晶片照射該激光束,呈環狀形成未達到晶片的完工厚度的改質層;
保護部件配設工序,在該改質層形成工序之前或之后,在晶片的該正面上配設保護部件;
加強部形成工序,利用卡盤工作臺對該保護部件側進行保持,對晶片的該背面進行磨削,從而使解理面從呈環狀形成的該改質層到達該正面并將該改質層去除,并且將晶片的與該器件區域對應的區域薄化至完工厚度,在晶片的與該外周剩余區域對應的區域形成環狀的加強部;以及
背面加工工序,對晶片的該背面實施規定的加工。
2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法,其中,
該晶片的加工方法還包含如下的工序:
轉移工序,在該背面加工工序之后,沿著在該加強部形成工序中形成的該解理面將該環狀的加強部去除,將該保護部件從晶片的該正面去除,將晶片的該背面粘貼在劃片帶上并且利用具有收納晶片的開口部的框架對該劃片帶的外周進行支承;以及
分割工序,對晶片的分割預定線實施加工而將晶片分割成各個器件芯片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





