[發明專利]半導體結構的形成方法在審
| 申請號： | 202110403406.4 | 申請日： | 2021-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN113823598A | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發明（設計）人： | 劉書豪;詹前泰;陳亮吟;張惠政;楊育佳;陳思穎 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L29/10 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構的形成方法，包括：
形成一第一鰭狀結構與一第二鰭狀結構于一基板上，其中該第一鰭狀結構的一第一寬度小于該第二鰭狀結構的一第二寬度；
分別以一第一沉積速率與一第二沉積速率沉積一絕緣層于該第一鰭狀結構的上表面與該第二鰭狀結構的上表面上，其中該第一沉積速率大于該第二沉積速率；以及
移除該絕緣層的一部分以露出該第一鰭狀結構的上表面與該第二鰭狀結構的上表面，其中移除該絕緣層的該部分的步驟包括使該第一鰭狀結構的該第一寬度減少至一第三寬度，并使該第二鰭狀結構的該第二寬度減少至一第四寬度，且該第四寬度小于該第三寬度。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
