[發明專利]一種硅基顯示面板的像素排列結構及硅基微型顯示裝置在審
| 申請號: | 202110402959.8 | 申請日: | 2021-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN112802887A | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 李德權;吳康敬;顏艷霜;孫揚;楊震元 | 申請(專利權)人: | 浙江宏禧科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人: | 金麗英 |
| 地址: | 322000 浙江省金華市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 像素 排列 結構 微型 顯示裝置 | ||
本發明涉及硅基顯示面板的像素排列結構及顯示裝置,像素排列結構呈多個“田”字型矩陣陣列排布的發光像素,每個發光像素包括一個第一子像素,一個第二子像素以及兩個第三子像素。四個相鄰所述第一子像素共用一個金屬掩模板,四個相鄰所述第二子像素共用一個金屬掩模板,兩行相鄰所述第三子像素共用一個金屬掩模板。該像素排列結構可在規避金屬掩模板制造工藝限制下,有效地減少像素面積,提高硅基微型顯示器的分辨率和像素密。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其是一種硅基顯示面板的像素排列結構及硅基微型顯示裝置。
背景技術
硅基微型OLED顯示器結合了成熟的集成電路COMS工藝和OLED顯示技術,與其他微型顯示技術相比,硅基微型OLED顯示器具有低功耗、工作溫度范圍大、高PPI、高對比度和響應速度快等優點,被稱為最適用于近眼顯示行業的微顯示技術。硅基微型OLED顯示器具有較廣闊的市場應用空間,特別適用在眼睛式顯示器、顯示鏡及頭盔顯示器等近眼顯示裝備,涵蓋了游戲、醫療、教育、軍事、工業等多個領域。
在硅基OLED微型顯示器制造的過程中,硅基板緊貼精細金屬掩模板蒸鍍有機發光材料,使有機小分子受熱蒸發獲得目的精細圖案。因此精細金屬掩模板的開口尺寸決定顯示器的分辨率高低,或者像素密度(PPI,即每英寸像素數目)。PPI是衡量屏幕顯示畫面質量的一個重要指標,PPI越高,像素面積越小,顯示畫面也就越清晰和細膩。目前通過濕法刻蝕和光刻方法制造的精細金屬掩模板能使微型顯示器的像素密度在400ppi左右。然而由于精細掩模板制造工藝的限制導致傳統條狀紅綠藍子像素交錯排列的像素結構的PPI難以突破600。因此為了規避精細掩模板制造工藝的限制,提高硅基微型顯示器分辨率,提供一種新型的像素排列結構是至關重要的。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:針對精細金屬掩模板制造工藝限制下,硅基微型顯示器無法達到更高的分辨率及像素密度的問題。
一種硅基顯示面板的像素排列結構,其特征在于:
包括多行多列矩陣陣列排布的第一像素單元、第二像素單元、第三像素單元,多個所述第一像素單元與多個所述第二像素單元橫向相間排列形成第一像素行,多個所述第三像素單元橫向排列形成第二像素行,多個所述第一像素行與多個所述第二像素行在縱向方向相間排列;
所述第一像素單元包括四個相鄰的第一子像素,四個相鄰的所述第一子像素作為一個單元共用一個金屬掩模板開口,所述第二像素單元包括四個相鄰的第二子像素,四個相鄰的所述第二子像素作為一個單元共用一個金屬掩模板開口,所述第三像素單元包括四個相鄰的第三子像素,四個相鄰的所述第三子像素作為一個單元共用一個金屬掩模板開口;
相鄰的一個所述第一子像素、一個所述第二子像素和兩個所述第三子像素構成一個發光像素。
作為優選,所述發光像素內的一個所述第一子像素、一個所述第二子像素和兩個所述第三子像素排列呈田字型。
作為優選,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素均為紅色子像素、藍色子像素或綠色子像素中任一種,且所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的顏色不同。
作為優選,所述發光像素中的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的面積比為1:1:2。
作為優選,所述第一像素單元、所述第二像素單元和所述第三像素單元的金屬掩模板開口尺寸一致。
作為優選,同行或同列方向上相鄰的所述第一像素單元、所述第二像素單元或所述第三像素單元之間的間隔為0.8至1微米。
作為優選,所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素下均分布陽極像素點。
作為優選,所述發光像素的密度為1200至1600像素每英寸。
一種硅基微型顯示裝置,其特征在于:包括基板和像素定義層,所述像素定義層層疊在所述基板上,并形成所述像素排列結構的各子像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





