[發明專利]III族氮化物襯底制備方法和半導體器件有效
| 申請號： | 202110402917.4 | 申請日： | 2021-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN112802930B | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 至芯半導體（杭州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L33/10;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京華創智道知識產權代理事務所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭隨麗 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | iii 氮化物 襯底 制備 方法 半導體器件 | ||
1.一種III族氮化物襯底制備方法，包括如下步驟：
在襯底表面形成多孔SiO2層，其中所述SiO2層的多孔為通孔且周期性排列；
將多孔金屬掩膜層覆蓋于所述多孔SiO2層，其中所述多孔金屬掩膜層的多孔與所述多孔SiO2層的多孔一一對應且孔徑一致，所述多孔金屬掩膜層的下表面帶有多個納米級凸出結構以與所述多孔SiO2層形成納米級中空結構；
在所述多孔金屬掩膜層上表面和所述一一對應的多孔中同步生長III族氮化物層；
去除所述多孔金屬掩膜層上表面的III族氮化物層；
去除所述多孔金屬掩膜層形成周期性排列的III族氮化物納米柱。
2.根據權利要求1所述的III族氮化物襯底制備方法，其特征在于：其中，在襯底表面形成多孔SiO2層具體為：
在所述襯底表面生長SiO2層；
通過刻蝕方法在所述SiO2層表面形成具有周期性排列的貫通的孔狀結構。
3.根據權利要求1所述的III族氮化物襯底制備方法，其特征在于：其中，所述多孔金屬掩膜層由金屬掩膜板通過刻蝕方法形成。
4.根據權利要求1所述的III族氮化物襯底制備方法，其特征在于：其中，通過化學氣相沉積或分子束外延方法生長所述III族氮化物層。
5.根據權利要求1所述的III族氮化物襯底制備方法，其特征在于：其中，通過刻蝕方法分別去除所述多孔金屬掩膜層上表面的III族氮化物層和多孔金屬掩膜層。
6.根據權利要求1所述的III族氮化物襯底制備方法，其特征在于：其中，所述金屬掩膜層材料選自Al、Ni、Ti、Cr、Au、Ag。
7.根據權利要求1所述的III族氮化物襯底制備方法，其特征在于：其中，所述納米級中空結構的高度為10~500nm；所述III族氮化物納米柱高于所述多孔SiO2層10~500nm。
8.一種半導體器件，包括：通過權利要求1-7任一所述的方法制備的III族氮化物襯底。
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