[發明專利]功率放大器電路與電子設備在審
| 申請號: | 202110402685.2 | 申請日: | 2021-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN113114135A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 柯慶福;鐘林;孫凱;鄭新年 | 申請(專利權)人: | 晉江三伍微電子有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/20 | 分類號: | H03F3/20 |
| 代理公司: | 上海慧晗知識產權代理事務所(普通合伙) 31343 | 代理人: | 周冬文 |
| 地址: | 362200 福建省泉州市晉江市羅山*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率放大器 電路 電子設備 | ||
本發明提供了一種功率放大器電路與電子設備,包括功率管、主偏置單元與輔偏置單元;所述主偏置單元分別接入供電電壓端與參考電壓端,所述主偏置單元還連接于所述功率管的控制端與所述功率管的第一端之間,用于向所述功率管的控制端與所述功率管的第一端提供第一偏置電壓;所述功率管的第一端直接或間接連接所述供電電壓端,所述功率管的第二端接地;所述輔偏置單元分別連接所述供電電壓端與所述參考電壓端,所述輔偏置單元還連接于所述功率管的控制端與所述功率管的第一端之間,用于在所述輔偏置單元所處的當前溫度小于閾值溫度時,向所述功率管提供第二偏置電壓。
技術領域
本發明涉及功率放大器領域,尤其涉及一種功率放大器電路與電子設備。
背景技術
射頻功率放大器通常采用異質結雙極晶體管(HBT)、互補式金屬氧化物半導體晶體管(CMOS)、高電子遷移率晶體管HEMT)等作為放大晶體管,稱為功率管。隨著5G、wifi6等新一代通訊標準的廣泛應用,對射頻功率放大器線性度要求也越來越高。
現有技術中,可采用線性功率放大器滿足目前市場對射頻功率放大器的線性度要求,實際應用中,一般會采用在信號處于發射模式時,開啟功率放大器,在信號未處于發射模式時,關閉功率放大器的工作模式,因而,線性功率放大器在實際應用場景中可能需要不斷的開啟、關閉。在部分應用場景中,線性功率放大器大部分時間是關閉的,少部分時間需要開啟。
當線性功率放大器關閉一段時間再開啟時,由于在開啟前線性功率放大器基本上已經處于冷卻狀態,開啟時需要一段時間才能進入熱穩定狀態,這段時間內會使線性功率放大器的增益發生變化,影響線性度。
可見,現有技術存在功率放大器由于溫度變化(例如進入熱穩定狀態較慢)導致的非線性的問題。
發明內容
本發明提供一種功率放大器電路與電子設備,以解決由于溫度變化(例如進入熱穩定狀態較慢)導致的非線性的問題。
根據本發明的第一方面,提供了一種功率放大器電路,包括功率管、主偏置單元與輔偏置單元;
所述主偏置單元分別接入供電電壓端與參考電壓端,所述主偏置單元還連接于所述功率管的控制端與所述功率管的第一端之間,所述主偏置單元用于向所述功率管的控制端與所述功率管的第一端提供第一偏置電壓;所述功率管的第一端直接或間接連接所述供電電壓端,所述功率管的第二端接地;
所述輔偏置單元分別連接所述供電電壓端與所述參考電壓端,所述輔偏置單元還連接于所述功率管的控制端與所述功率管的第一端之間,所述輔偏置單元用于在所述輔偏置單元所處的當前溫度小于閾值溫度時,向所述功率管提供第二偏置電壓。
可選的,所述輔偏置單元包括溫度響應模塊、輔偏置第一放大器與輔偏置第二放大器、第一電阻、第二電阻與第三電阻;
所述第一電阻的第一端連接所述參考電壓端,所述第一電阻的第二端連接所述溫度響應模塊的第一端,所述溫度響應模塊的第二端連接所述第二電阻的第一端,所述第二電阻的第二端接地;
所述輔偏置第一放大器的控制端連接于所述溫度響應模塊的第二端與所述第二電阻的第一端之間,所述輔偏置第一放大器的第一端連接于所述輔偏置第二放大器的控制端與所述第三電阻的第一端之間,所述第三電阻的第二端連接所述參考電壓端,所述輔偏置第一放大器的第二端接地,所述輔偏置第二放大器的第一端連接所述供電電壓端,所述輔偏置第二放大器的控制端通過所述第三電阻連接所述參考電壓端,所述輔偏置第二放大器的第一端直接或間接連接所述功率管的第一端,所述輔偏置第二放大器的第二端直接或間接連接所述功率管的控制端;
所述功率管的控制端接入射頻信號;
所述溫度響應模塊用于:響應于所述當前溫度的升高,降低所述溫度響應模塊兩端的壓降,以使得:所述輔偏置第一放大器的控制端與所述輔偏置第一放大器的第二端間的電壓變大;
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